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  • 英飛凌推新品 鎖定不斷電系統、電池充電基礎設施市場

    英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出具650V阻斷電壓,採獨立封裝的650 V CoolSiC Hybrid IGBT產品組合。新款CoolSiC混合型產品系列結合了650V TRENCHSTOP 5 IGBT技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC蕭特基二極體。 \n新產品具有出色的切換頻率和更低的切換損耗,特別適用於DC-DC電源轉換器和功因校正(PFC)。其常見應用包括:電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、太陽能變流器、不斷電系統(UPS),以及伺服器和電信用交換式電源供應器(SMPS)。 \n由於續流SiC蕭特基障礙二極體與IGBT採用共同封裝,在dv/dt和di/dt值幾乎不變下,CoolSiC Hybrid IGBT運作時能大幅降低切換損耗。與標準的矽二極體解決方案相比,新產品可降低多達60%的Eon和30%的Eoff。或者,也可在輸出功率保持不變下,提高切換頻率至少40%。 \n較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸,進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP 5 IGBT,無需重新設計,便能使每10 kHz切換頻率提升0.1%的效率。 \n此產品系列可作為全矽解決方案和高效能SiC MOSFET設計之間的銜接,與全矽設計相比,Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由於蕭特基障礙二極體的單極性,使二極體能快速切換,而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4針腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四針腳可實現超低電感的閘極射極控制迴路,並降低總切換損耗。

  • 《興櫃股》MOSFET添新兵 全宇昕:今年產品漲幅5~15%

    《興櫃股》MOSFET添新兵 全宇昕:今年產品漲幅5~15%

    MOSFET再添新兵!全宇昕(6651)預計將在2月上旬掛牌,全宇昕成立約18年,在半導體市場穩紮穩打,看好營運今年將持續成長,尤其看好網通產品是最具有爆炸性的成長,面對晶圓產能緊張,已經有供應商對全宇昕進行漲價,全宇昕也會在今年第二季前對客戶通知、進行溝通調漲,反應成本,預估漲幅落在5~15%。 \n 晶圓產品緊張,總經理李徐華表示,2021年目前還是產能不足、封裝產能也是,全宇昕主要投片8吋在世界(5347)、6吋在茂矽(2342),8吋和6吋約一半一半,已經有供應商進行漲價,公司會在第二季前對客戶通知,並且進行溝通,漲幅約5~15%。 \n \n 李徐華表示,全宇昕MOSFET(金氧半場效電晶體)在去年前三季營收占比已經超過7成,包括低壓、中壓、高壓以及高速等,以投片量來看,低壓占比50%、中壓占比25%、高壓+高速占比約25%,以產值來說高壓+高速的產值成長最具空間,這也是未來有持續擴大的一部分;BJT(電晶體)占比約16.12%、DIODE(二極體)占比約9%、其他則為1.48%,占比前三大產品包括有網通、顯示器以及直流風扇,網通設備擴及到小型基地台、交換器、路由器、網路電話等,網通產品是今年看到最具有爆炸性的成長,主要就是來自5G,全宇昕2020年營收相較2019年預計將會有15%,今年還是會持續成長。 \n MOSFET市場主要由英飛凌占據,根據IHS統計指出,英飛凌市占高達27%,排名第二為安森美、市占率13%,第三則是瑞薩的9%,而在含金量更高的高壓MOSFET中,英飛凌以36%的市占率大幅領先其他競爭對手,意法半導體與東芝則以市占19%及11%分居二、三名,至於IGBT市場中,由英飛凌、三菱和富士電機依序排名前三大,安森美則主攻在低壓的消費電子產業,電壓在600V以下;而中高壓1700V以上領域,是應用在高鐵、車用電子、智慧電表等,則被英飛凌、ABB和三菱壟斷。 \n \n

  • 比亞迪半導體將分拆上市 估值逾百億人民幣

     電動車大廠比亞迪的上市版圖再添生力軍,比亞迪擬分拆旗下專攻IGBT(絕緣柵雙極電晶體)的比亞迪半導體,並在大陸A股上市,目前估值已逾人民幣(下同)100億元,在當前汽車晶片短缺情況下更奇貨可居,消息也帶動比亞迪股價上漲。 \n 比亞迪2020年12月30日晚公告,為做大做強半導體業務以及資源整合,同意控股子公司比亞迪半導體籌劃擬分拆在大陸上市,並強調分拆不會使公司喪失對比亞迪半導體的控制權。 \n 消息帶動比亞迪12月31日股價走強,A股日內漲幅持續擴大,收盤漲4.46%報194.3元。H股收漲4.21%,報203.2港元。 \n 比亞迪公告指出,公司直接持有比亞迪半導體72.3%股份,比亞迪半導體已成為大陸IGBT以及車規級半導體領導廠商,希望透過上市來提升半導體核心競爭力,也預計將半導體供應領域從車用擴散至工業、消費領域。 \n 比亞迪在2020年4月就透露有意分拆比亞迪半導體上市的意圖,隨後比亞迪半導體接連完成兩次融資,引入小米、中芯國際、上汽、北汽、紅杉資本、韓國SK集團等投資人,投後估值已達102億元。 \n 在業務上,此前國金證券報告指出,2019年大陸新能源車IGBT市占方面,比亞迪半導體市占二成位居第二,僅落後排名第一、市占近五成的的德商英飛凌。 \n 財經網引述業內人士說法稱,IGBT在電動車半導體成本中占比高達一半,且當前汽車晶片持續處於供應短缺的狀態,包括英飛凌、恩智浦等廠商都開始上調價格、擴大產能。比亞迪此前曾指出,公司在電池與晶片兩大領域有完善產業鏈,除充分自給外還能對外供應。 \n 報導引述業內人士分析,比亞迪可能看到寧德時代以第三方廠商身份席捲各大車企,而自家電池業務卻來不及分拆,有了前車之鑑後,比亞迪可能想迅速分拆比亞迪半導體,使其成為第三方廠商,以擴大IGBT等半導體業務的市占。

  • 《電機股》各國嚴控碳排 朋程業績看俏

    各國嚴格限制汽車碳排放量,且全球車市需求增溫,帶動高效能二極體(LLD)出貨暢旺,車用二極體廠—朋程(8255)不僅今年第4季合併營收可望優於第3季,明年第1季營收亦將優於今年第4季,朋程新廠將於明年第1季完工,未來新廠將以生產事電動車絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組為主。 \n \n 歐洲等各國積極落實環保減碳,嚴格限制汽車碳排放量,為符合環保要求,各大車廠除積極推出油電混合車及電動車款,亦致力提升車用發電機發電效率,以降低碳排放量,由於朋程的高效能二極體可將車用發電機效率由標準二極體的64%到68%,提升至72%到76%,超高效能二極體(ULLD)更可將發電機效率提升到80%到82%,大大降低二氧化碳的排放量,獲得全球各大車廠積極採用。 \n 受到各國因新冠肺炎疫情封城影響,朋程今年上半年營運表現不佳,但隨著各國車廠復工,且大陸車市需求增溫,朋程營運自第3季回穩,朋程LLD二極體因出貨全球各大車廠,預估今年出貨量可達2600萬顆,以一顆約0.85美元(台幣約22元)估算,今年貢獻營收約5.8億元,佔整體營收比重約16%到20%,朋程預估,明年LLD出貨量可望上看4000萬顆,營收貢獻可望上看9億元,持續成為推升公司明年營運成長重要動能。 \n 在超高效能二極體部分,朋程現已開始送樣,預估明年有機會小量出貨,公司目標是3年內營收貢獻達10億元。 \n 儘管有新冠肺炎疫情不利因素,朋程新廠建置投資和新產品送樣進度沒有改變,新廠預計明年第1季完工,未來將以生產事電動車絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組為主。 \n 目前朋程IGBT模組持續送樣認證,並已與兩家日本和歐洲客戶議價完成,客戶提供規格給朋程開發產品,但尚無客戶正式下單,朋程希望儘快有機會量產。 \n 朋程今年前3季稅後盈餘為1.69億元,每股盈餘為1.85元,累計前11月合併營收為27.51億元,年減10.05%。 \n \n

  • 權證星光大道-兆豐證券 健策 散熱產品買氣夯

    權證星光大道-兆豐證券 健策 散熱產品買氣夯

     車用及雲端系統散熱需求拉高,健策(3653)營運進補,19日股價發動攻勢,終場上漲11.5元,漲幅4.25%,收在282元,成交量放大至6,136張。 \n 三大法人19日同步由賣轉買,外資買超86張,投信買超412張,自營商買超224張,合計買超722張。 \n 法人指出,健策深耕車用領域多年,產品從原有車用LED導線架,逐步發展至電動車逆變器IGBT(絕緣柵雙極電晶體)水冷散熱模組,健策的車用水冷散熱模組應用範圍,包括電動車、油電混合車。 \n 由於IGBT主要功能為電動車逆變器功率模組的散熱冷卻,提高逆變器效率與壽命,使馬達穩定運轉,在各國力挺電動車政策下,IGBT前景看好,成為健策營運成長重要推手。 \n 法人指出,健策無錫廠主要產品則為ILM扣件,大園二廠7月正式拿到使用執照,主要做沖壓、IGBT模組、VC散熱片等,比現有散熱片產能增加70~80%,將有更多自動化。 \n *【權證投資必有風險,本專區資訊僅供參考,並不構成邀約、招攬或其他任何建議與推薦,請讀者審慎為之】

  • 《科技》歐電動車跑得快 供應鏈看俏

    歐洲政府提供優惠補貼鼓勵消費者購買電動車,帶動歐洲地區電動車銷量,歐洲電動車需求增溫,對導線架廠—順德(2351)、界霖(5285)及散熱廠—健策(3653)等營運將有正面助益。  \n 今年歐洲車市如全球車市一樣飽受新冠肺炎疫情衝擊,各國封城抗疫、車廠停工讓歐洲車市一度陷入停滯,儘管歐洲疫情持續延燒,歐洲車市逐漸回穩,尤其是電動車部分,在歐洲實施嚴格的二氧化碳排放量規劃及歐洲政府補貼政策鼓勵消費者購買電動車,讓歐洲電動車銷售超越大陸,打破中國為全球第一大電動車市場地位。 \n \n DIGITIMES Research表示,歐洲政府為鼓勵消費者購買電動車,亦提供相當優惠的補貼政策,德國電動車補貼金額每台最高達9,000歐元,法國及義大利電動車最高補貼金額分別為7,000歐元、6,000歐元,亦即補貼後,歐洲消費者可以平實價格購得電動車款,甚至低於一般油車價位;以熱銷車款雷諾Zoe為例,補貼前售價為3.2萬歐元,補貼後僅2.3萬歐元。 \n 根據歐洲車協會統計,2020年前3季歐洲電動乘用車銷售前10國合計銷量年增率達98.9%、滲透率提升至9.8%,主因之一為歐盟於2020年起實施嚴格的碳排限制政策,即二氧化碳排放量均值需降至95克/公里,加速車廠銷售低碳排的PHEV、BEV電動車款;另外歐洲國家為抑制油車銷售,徵收高額的燃油稅費,使得歐洲國家汽油價格高於全球均價甚多,介於25~85%。 \n 從歐洲汽車製造商協會及各國官方統計,DIGITIMES Research分析師林芬卉推估,由於歐洲實施嚴格的二氧化碳排放量規範、加油費用高於充電費用、提供消費者高額補貼、車企加速電動化轉型等,2020年前3季歐洲地區電動乘用車銷量可達77.9萬台,超越原居全球首位的中國大陸市場。 \n 觀察歐洲地區暢銷電動車款包含歐系Volkswagen及雷諾、美系Tesla、韓系現代、日系日產等,續航里程多落在330~500公里之間,搭載電池容量在70KWh以下,主要銷售對象為城市間通勤者,而補貼前價格多落在3萬~4.4萬歐元間,對當地一般消費者而言入手相當容易,亦為車企加速朝電動化轉型的關鍵。 \n 隨著歐洲電動車需求增溫,也讓今年上半年受車市不佳之苦的順德、界霖及健策營運受惠,順德9月合併營收回升到7.62億元,年成長10%,為今年以來單月新高,累計前9月合併營收為61.18億元,年減8.49%。 \n 界霖車用導線架產品客戶涵蓋日系和歐系車廠,第3季合併營收為9.94億元,界霖董事長蔡上元表示,隨著車用導線架拉貨力道增強,業績可望自10月開始增溫,第4季業績可比第3季好。 \n 健策深耕車用領域多年,產品從原有車用LED導線架逐步發展至電動車逆變器IGBT(絕緣柵雙極電晶體)水冷散熱模組,由於IGBT主要功能為電動車逆變器功率模組的散熱冷卻,提高逆變器效率與壽命,使馬達穩定運轉,在各國力挺電動車政策下,讓IGBT前景看好,成為健策營運成長重要推手。 \n 健策9月合併營收為5.71億元,年成長16.46%,累計前9月合併營收為51.32億元,年成長29.56%。 \n \n

  • 陸功率半導體市場 靜待契機

    陸功率半導體市場 靜待契機

     全球功率半導體分立器件主要以二極體、MOSFET、IGBT為主,比重分布約為20%、40%、30%,而上述三大產品需求驅動力主要來自於汽車電子、工業自動化、消費電子、PC、網路通訊、設備與儀器儀表、指示燈/顯示器、電子照明等;甚至未來半導體功率器件中,MOSFET與IGBT器件將是最強勁的成長點,其中IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,為國家戰略性新興產業之一,在軌道交通、智慧電網、航空航太、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣,而上述皆為大陸近期強力主攻的發展焦點。 \n 雖然國際大廠產能逐步移往高階產品移轉,甚至新冠肺炎疫情影響功率半導體海外龍頭廠商供給能力受限,如Infineon受全球疫情蔓延影響,3月下旬關閉馬來西亞的居林和麻六甲工廠,公司整體產能利用率滑落在70%至80%,且大陸仍持續琢磨於經濟刺激政策的實施,以及新能源、新技術的應用,期望進一步拓展對岸在半導體分立器件的國產化水準,且原從事二極體、三級管、晶閘管等技術含量較低的功率半導體廠商,包括華微電子、揚傑科技、捷捷微電,以及台基股份等,紛紛向MOSFET與IGBT領域突圍,部分下游應用廠商也向上游IGBT領域布局。 \n 新冠衝擊成長趨緩 \n 不過由於全球功率分立器件市場競爭格局傾向於由Infineon、ON Semi、STM、Mitsubishi、Toshiba等全球前5大掌握4成以上的版圖,顯然高階產品主要由美歐日廠商所壟斷,甚至全球前5大國際公司的合計市占率將近7成(如Infineon、Mitsubishi、Fujitsu),行業集中度高,大陸本土業者多是以低階市場的經營為主,且整體功率半導體自給率偏低,主要是行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等問題等,使得大陸業者尚處於追趕狀態,更何況2020年以來,新冠肺炎疫情衝擊終端應用市場,上半年包括車用電子、工業領域等多少受到一些衝擊,下半年包括新能源汽車、軌道交通、新能源發電、智能電網改革才開始進入全面提速期,故估計2020年大陸功率半導體景氣將呈現成長趨緩態勢。 \n 不過大陸功率半導體市場仍在靜待行業的發展契機,除國內外經濟成長率將逐步擺脫疫情影響而展開反彈之外,另一方面主要是全球功率半導體供需關係尚未達到平衡(其中Infineon表示未來5年計畫將所有領域的經援外包比重提升至30%),使得大陸功率半導體業者加快擴產,包括捷捷微電、揚杰科技、華潤微、華微電子、士蘭微、斯達半導體等,規畫產能多以新型片式元器件、8吋高階感測器和功率半導體建設、新能源汽車用IGBT模組擴產、IPM模組項目等為主。 \n 強化供應鏈政策獎勵 \n 更何況,中美科技戰反而促使大陸加速建立自主可控的供應鏈,因而中低階的半導體分立器件國產替代呈現穩步提升情況,特別是在通信設備、消費電子終端產品的二極體、晶閘管、中低壓MOSFET;甚至官方持續加碼對於5G、特高壓、軌道交通、新能源汽車等應用領域的推廣,特別是功率半導體的需求,將在新基建和新能源汽車發展推進中持續擴大,集成化和智慧化趨勢,也將持續推動功率半導體不斷提升價值量;顯然上述因素皆將明顯有利於帶動大陸功率半導體技術升級和產品出海口的來源。 \n 大陸官方在政策面的扶植力道也持續增強,畢竟中美科技戰激烈的對抗,使得大陸官方不得不強化對於半導體上下游供應鏈的政策獎勵,故未來大陸功率半導體業也持續受益於官方的優惠與扶植,如今年8月國務院發布《關於印發新時期促進集成電路產業和軟體產業高品質發展若干政策的通知》,主要是從稅收、投融資、人才、市場等多方位,對集成電路產業進行優惠和扶持,其中對於先進製程,從過往最高5年免稅變為10年免稅,可謂力道空前。 \n 同時,扶植政策覆蓋範圍從代工上下延伸至設計/軟體、材料、設備到封測,且對記憶體、化合物半導體等,而政策的廣覆蓋將降低產業整體稅收負擔,投融資政策在內的多種政策組合,將在未來給予產業中的企業充分的發展扶持,此也反映半導體將是大陸未來國家級科技戰略體系重要的一環,雖然短期此政策邊際改善不大,但長期意義則深遠。 \n 作者簡介 劉佩真 \n 現職為台灣經濟研究院產經資料庫研究員暨產業顧問,主要從事兩岸不動產業、兩岸半導體業(晶圓代工、記憶體、IC設計、IC封測等)、台灣半導體通路業的分析,更獲得台灣亞太產業分析專業協進會(APIAA)──「產業顧問」、「資深產業分析師」、「產業分析師」專業的認證許可;同時也擔任台北市政府促參推動委員會委員、台北市政府三創生活園區營運績效評估委員會委員、台灣亞太產業分析專業協進會(APIAA)理事等職務。

  • 艾姆勒開標 得標均價55.55元

    電動車IGBT晶片散熱模組供應商艾姆勒(2241)13日完成競拍開標作業,由於得標加權平均價格超過本標案設定之公開申購價格上限,訂本次公開申購價格為50元,申購期間為14~18日為期三天,20日將公開抽籤。 \n艾姆勒表示,初次上市股票競價拍賣13日完成電腦開標作業,本次辦理競價拍賣股數總計6,784張,參與投標的合格標單共1,682筆,得標筆數463筆,以美國標方式決定競價拍賣得標價格,開標最低得標價54元,最高得標價70元,計算得標加權平均價為55.55元。 \n艾姆勒是業界唯一同時具備粉末冶金技術(MIM)及鍛造等多元成形量產能力的廠商,公司深耕IGBT、ADAS、高階雲端伺服器等晶片散熱模組多年,不但通過國際知名客戶認證,目前在手專案也有10多個案子,將挹注未來營運成長動能。

  • 英飛凌推出先進硫化氫防護功能產品

    強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境,對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅,英飛凌科技(Infineon)開發了一項獨有的防護功能,推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPACK+模組,這是Econo系列第一款為變頻器應用提供此防護等級的產品。達到H2S嚴重等級的嚴峻環境常見於製紙、採礦、廢水和石化處理流程以及橡膠產業。 \nH2S對功率半導體來說是腐蝕性最嚴重的汙染物。由於IGBT模組的溫度在運作期間通常會升到非常高,再加上高電壓和H2S的汙染,都會加快硫化銅(Cu2S)結晶的成長速度。這些導電結構在陶瓷基板上DCB的溝槽內形成,在最糟情況下將導致短路。若IGBT模組提前故障,將會大幅縮短變頻器的使用壽命。英飛凌先進的H2S防護功能可防止硫化氫進入模組,避免其接觸到重要區域。這是獨一無二,也最有效的方法。 \n該模組所有的電氣、熱和機械參數均保持不變,也具備與標準模組相同的特性,而且能延長系統在嚴峻環境條件下運作的使用壽命。為此,英飛凌還特別開發專屬的HV-H2S測試,確保IGBT模組在特定條件下運作的品質符合ISA 71.04-2013標準。此標準依照汙染物影響程度定義了從「輕度(G1)」到「嚴重(GX)」等四個嚴重性等級。 英飛凌的測試涵蓋廣泛的工業應用,並提供質化方法,用於評估IGBT模組的可靠性。 \n採用英飛凌H2S技術防護的IGBT模組在定義的HV-H2S測試條件下不會有枝晶增生的情況。因此,裝置預期可達到ISA 71.04「惡劣(G3)」嚴重性等級的使用壽命上限可達20年。具備防護功能的EconoPACK+可直接取代標準模組,省去成本高昂且耗時的設計工作。此外,採用變頻器系統的公司也能省去過多的防護措施,像是額外的室內通風、安裝區域的溫度與濕度控制,或甚至變頻器的密封式機櫃。

  • 權證星光大道-健策 長線發展看俏

    權證星光大道-健策 長線發展看俏

     伺服器均熱片廠健策(3653)納入台灣中型100指數,10日起正式生效,隨車用產品與伺服器產業邁入高成長期後,法人仍看好健策的長線發展契機。 \n 法人指出,均熱片與車用絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)產品需求強勁,將是健策2020年營運成長的主要動能,車用IGBT產品更已通過歐、日、台等多家廠商認證,伴隨全球電動車與油電混合車需求增溫,IGBT商機持續看俏。 \n 健策6月營收為5.87億元,年增27.5%,創下歷年同期新高,累計今年上半年營收達34.61億元,較去年同期成長34.32%。今年首季獲利為2.58億元,年增57.32%,單季EPS已達2.14元。 \n 展望後市,受惠中美貿易戰的轉單效益,健策近年積極進行擴產以因應滿手訂單,資本支出預計將在未來兩年達到15~16億元,包括台灣大園二廠第二季開始投產外,健策在去年年底以3.14億元入股金利,可望就其現有廠房緩解現階段產能需求。 \n 健策目前含息5元待除,以10日收盤價計算,殖利率約為1.61%。 \n *【權證投資必有風險,本專區資訊僅供參考,並不構成邀約、招攬或其他任何建議與推薦,請讀者審慎為之】

  • 《電子零件》聚鼎砸2600萬美元收購漢高TCLAD部門 最快年底併入

    看好高導熱金屬散熱基板前景,聚鼎(6224)董事會決議透過子公司聚燁科技,與德商漢高集團(Henkel)美國子公司簽署協議,以2600萬美元收購該子公司旗下金屬散熱基板與線路板(TCLAD)事業部門,預計最快今年底、最慢明年第1季併入,聚鼎董事長朱復華表示,該部門為世界第一大金屬散熱基板廠,併入後可望成為全球第一大散熱基板廠,並帶動公司明年合併營收增加50%。 \n \n 儘管全球車市受中美貿易戰及全球新冠肺炎疫情影響,連兩年市況低迷,尤其是大陸車市,但車用相關散熱基板需求卻穩定增加,加上工業、航太等市場亦逐步擴大,看好高導熱效能金屬散熱基板前景,聚鼎科技於今天宣布收購德國Henkel(漢高)散熱事業部門 TCLAD。 \n 德商漢高TCLAD部門前身為美商貝格斯公司(Bergquist)轄下的散熱產品部門,2014年間貝格斯為漢高併購,TCLAD於30餘年前即開發出專有的濕式製程,生產優質絕緣介質層,專攻高導熱率的各類應用市場,產品涵蓋商用及車用LED照明、工業用LED特殊照明、工控電源(IPM)、航太國防應用等,數百家客戶遍布北美、歐洲、南韓、台灣及中國大陸,且有過半數為獨家供貨,30餘年來均為金屬散熱基板的全球龍頭廠商,其技術及產品規格更是客戶及同業引領指標。 \n 朱復華表示,雖然車市狀況不佳,但傳統車廠採用LED車頭燈比重逐步攀高,且電動車的IGBT愈來愈多,未來數年電動車可望大幅成長,電動車動力輸出控制模組IGBT散熱需求必然隨之增高,而金屬散熱基板可為此散熱需求提供最有效的解決方案;聚鼎自2007年起即深耕金屬散熱基板市場,並獨立研發不使用溶劑的環保乾式製程,獨步全球,客戶也遍及電視背板、商業及車用照明、高速運算等領域,是亞洲唯一以金屬散熱基板製造為專業廠,近幾年公司積極切入車用市場,此次收購,可取得TCLAD全球領導地位與通路,更達成乾濕式製程的技術互補與共同研發平台,建立更完整的產品組合,持續獲取精密傳導需求的世界級訂單,快速切入汽車供應鏈。 \n 聚鼎科技今天董事會決議透過子公司聚燁科技,與德商漢高集團(Henkel)美國子公司簽署協議,以2600萬美元收購該子公司旗下金屬散熱基板與線路板(TCLAD)事業部門之全部資產與業務(含在美國威斯康辛州Prescott約10萬平方呎土地廠房與機器設備、存貨、商標、專利、著作權、Know-how技術、客戶關係及商譽等,並續聘約273名員工,但不含債務),此項收購案預計最快今年底、最慢明年第1季完成,併入聚鼎業績。 \n 朱復華表示,聚鼎收購TCLAD部門,將可結合雙方強項,擴大全球各區域的行銷佈局,搶攻電動車成長商機,在交割整合完成後,預估將可增加聚鼎合併營收達50%以上。 \n \n

  • 茂矽朋程第五代IGBT明年首季投產

    茂矽朋程第五代IGBT明年首季投產

     功率元件晶圓代工廠茂矽(2342)17日召開股東常會並完成董事改選,大股東朋程(8255)取得二席董事,雙方在絕緣閘雙極電晶體(IGBT)成績逐漸顯現,除了打進車用及消費性電子市場,也將推出第五代IGBT布局1,200V以上高電壓工業功率元件市場,明年第一季將開始生產。 \n 再者,茂矽也與國際IDM廠合作開發手機金氧半場效電晶體(MOSFET)並已小量出貨,打進大陸Android手機大廠供應鏈。 \n 朋程於2017年透過茂矽私募增資入股,雙方決定合作研發車用相關產品,朋程2018年再增加茂矽持股,持股比重達18%成為最大法人股東。茂矽17日股東會完成新任董事改選,朋程取得二席董事,二極體廠強茂取得一席董事,茂矽前董事長胡洪九之子胡恩瑞則退出董事會。 \n 茂矽第一季合併營收3.97億元,毛利率回升至15.8%,代表本業的營業利益由虧轉盈達0.11億元,但提列業外損失後季度虧損1.06億元,每股淨損0.69元。茂矽第二季以來受惠於醫療及筆電等相關MOSFET晶圓代工急單湧入,5月合併營收1.70億元較去年同成長92.7%,前五個月合併營收7.30億元,較去年同期成長35.4%。 \n 茂矽董事長唐亦仙表示,第二季急單推升產能利用率達滿載,季度本業獲利將創近二年來同期最佳,下半年隨著各地重啟經濟及客戶重啟下單,車用需求應可看到報復性反彈,只是筆電及醫療等急單告一段落,下半年營收表現將略低於上半年。整體來看,下半年展望仍中性偏熱觀,看來沒有想像中差。 \n 茂矽與朋程在車用IGBT市場合作,效益將會在明年逐步顯現,車用中高階產品報價高且利潤佳,對茂矽營運有很大助益。茂矽也投入高電壓大電流產品,下半年將展開第五代IGBT產能建置,主要生產應用於工業及家電的1,200V以上IGBT,明年第一季開始投產。 \n 此外,唐亦仙表示,茂矽與國際IDM廠合作開發手機MOSFET有成,今年開始小量交貨,並已切入Android手機供應鏈,未來隨著客戶的手機市場占有率提升,有助於茂矽後續營運表現。茂矽的手機MOSFET採用共源極(common source)技術進行橋接,應用在手機內控開關。

  • 華為海思踏入車用晶片 比亞迪為其開路

    華為海思踏入車用晶片 比亞迪為其開路

    6月15日,比亞迪發佈公告,比亞迪半導體將引入SK、小米、招銀等多家戰投合計8億元(人民幣,下同)投資。在此之前的5月底,紅杉、中金等14位投資者,已經向比亞迪半導體注入19億元的投資。 \n \n巧合的是,同在6月15日,華為麒麟晶片邁出了拓展汽車市場的第一步,首款產品麒麟710A已與比亞迪達成合作,麒麟晶片是華為海思半導體公司自研的手機晶片,目前只面向華為和榮耀手機供貨。 \n \n華為與比亞迪的此次合作是否將成為一個信號?據接近華為終端公司的知情人士消息,此次合作框架包括華為與比亞迪合作的HiCar、5G模組、數位車鑰匙等產品。本次麒麟晶片與比亞迪的合作,並非以華為智慧汽車部為業務出口,而是麒麟所在的海思公司與比亞迪直接合作。 \n \n這也意味著,華為麒麟晶片首次「吃掉」了高通驍龍的蛋糕。今年5月,據相關媒體報導,麒麟710A在中芯國際實現量產,這是一款入門級5G晶片,2019年華為CEO余承東在柏林國際電子消費品展覽會上曾透露,「考慮將麒麟晶片外銷給其他領域使用,如loT(物聯網領域)。」 \n \n而比亞迪選擇華為麒麟晶片,或為新車型漢更好地應用華為5G技術。日前,比亞迪宣佈,比亞迪漢將成為首款搭載華為5G技術的量產車型。隨後有消息稱,比亞迪採用的正是華為5G模組MH5000,該模組採用5G多模終端晶片巴龍(Balong)5000晶片,高度集成車路協同的C-V2X技術。 \n \n而麒麟晶片和5G模組同為華為終端公司(即消費者BG)的技術和產品,此前,華為消費者BG和比亞迪還合作了手機NFC車鑰匙、HiCar手機投影方案等產品。 \n \n此前,高通驍龍820A晶片一直是是國內自主品牌較為青睞的車機晶片,據相關半導體行業人士透露,華為麒麟710A晶片的性能與高通驍龍820A晶片不相上下,又與華為其他產品如HiCar、5G模組有較好的協同性。國際疫情形勢不明朗之時,高通驍龍820A晶片或存在斷供隱患,華為麒麟710A晶片的確是車企很好的替代選擇。 \n \n據消息人士透露,目前比亞迪已經拿到了麒麟的晶片技術文檔,並開始著手開發。 \n \n麒麟晶片要「上車」,需要根據車機環境進行改良,不可忽視的是,汽車級絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)是功率半導體皇冠上的明珠,在這個領域,比亞迪一枝獨秀。 \n \n6月15日,比亞迪發佈公告稱,控股子公司比亞迪半導體將以增資擴股的方式引入戰略投資者。由韓國SK集團、小米集團、上汽產投、北汽產投等30家公司戰略投資人民幣8億元,其中3202.11萬元計入比亞迪半導體新增註冊資本,7.68億元計入比亞迪半導體資本公積。 \n \n增資擴股事項完成後,比亞迪半導體註冊資本為人民幣4.08億元,本輪投資者合計取得比亞迪半導體7.84%的股權,比亞迪持有比亞迪半導體72.3%股權,比亞迪半導體仍納入比亞迪合併報表範圍。 \n \n短短兩個月時間,比亞迪半導體便吸引了超過40家戰略投資者組成的豪華投資方陣,而在資本市場押注IGBT半導體市場的背後,體現出的是資本市場對比亞迪半導體的認可和絕對看好。 \n \n業界有一個很形象的比喻是,功率半導體像一名「廚師」。以手機、電腦等產品為例,CPU、存儲、MEMS等大眾熟知的半導體負責感知、運算、執行等功能,主要處理的是信息。而上述的各種信息半導體不能直接使用220V的交流電,這時候就需要功率半導體來對電能進行處理,使其適合傳感器、攝像頭等具體的終端器件使用。 \n \n「雖然我們成立只有15年,量產才10年,但是我們的車規級IGBT已經屬於世界先進水平。和英飛凌這些在IGBT領域幹了30年的公司相比,差距已經不大。」原比亞迪第六事業部,現比亞迪半導體產品總監楊欽耀稱。 \n \n作為電動汽車的「大腦」,IGBT可以說是電動車的核心技術之一,相當於汽車動力系統的「CPU」,占新能源汽車成本高達7%-10%,僅次於電池。目前,國內新能源汽車用IGBT晶片及模塊嚴重依賴進口,大陸汽車工業協會顧問杜芳慈在接受採訪時曾表示,進口率超過了90%。 \n \n中金資本發佈的《2020年半導體行業展望》中提到,在科創板及半導體國產化大潮的推動下,大陸半導體產業已經成長為超1萬億元規模的投資賽道,隨著新能源汽車市場的發展,IGBT的需求將會出現爆發式增長。 \n \n6月15日,比亞迪在投資者關係活動記錄表中披露,比亞迪半導體作為大陸最大的車規級IGBT廠商,目前邁出了比亞迪市場化戰略佈局的第一步,後續公司將加快推進比亞迪半導體分拆上市。 \n \n中金公司預計,依托整車資源,對標科創板斯達半導,比亞迪半導體的IGBT模塊2019年營收應超過10億元。參照成熟市場的估值再加上比亞迪半導體車規級IGBT處於國內領先地位,給予適當龍頭溢價,比亞迪半導體拆分上市後可達300億市值。 \n \n據智研咨詢統計,2018年大陸IGBT晶片需求量為7989萬個,同比增長將近20%;國產數量為1115萬個,國產化率為13.96%。IGBT的市場需求、國產化率都在穩步提升。儘管在新能源汽車等高階IGBT領域差距還非常大,但在某些工業領域,功率器件的國產化比例已經超過50%。

  • 《業績-電子零件》下半年能見度差 健策估業績持平上半年

    新冠肺炎疫情導致車市及各產業客戶下單轉保守,均熱片廠健策(3653)對下半年看法趨於謹慎,健策總經理趙永昌表示,由於客戶對前景存有疑慮,多數客戶不敢做預測,且傾向踩剎車,而車市預期明年復甦,今年下半年營運與上半年持平。 \n 今年第1季雖然有新冠肺炎疫情導致大陸廠區延後復工,但因客戶擔心斷鏈積極下單,讓健策均熱片等產品在第1季出貨暢旺,業績表現亮眼。 \n 不過隨著新冠肺炎疫情擴散到歐美及全球,各國封城封國,車廠停工衝擊開始顯現,健策4月及5月合併營收連2個月下滑,在多數客戶不敢做預測且開始踩煞車下,健策對下半年趨於謹慎。 \n \n 趙永昌表示,受疫情影響,多數客戶不敢做預測,沒有人確定下一步怎麼發展,致使下半年能見度不明朗,IGBT表現不如預期,所幸均熱片可以維持上半年的趨勢,預估下半年業績與上半年持平。 \n 健策均熱片今年表現不俗,去年單月營收貢獻僅1億元,今年已增加至3億元,營收佔比也由去年的20%拉升至50%。 \n 近期市場傳聞,健策下半年業績將因Intel等新客戶開始出貨三級跳,不過健策不願評論單一客戶,而從健策下半年業績與上半年持平來看,法人認為,Intel對健策的業績貢獻仍待觀察。 \n 中美貿易戰及新冠肺炎疫情導致供應鏈移轉,由於東南亞銷售佔健策營收比重高,健策亦評估在東南亞投資設廠,趙永昌表示,生產基地分散是未來趨勢,新投資應會落腳在東南亞,快則今年第4季就會拍板。 \n 趙永昌強調,下半年業績持平只是遇到短期亂流,長期來看公司目標沒有改變,對未來還是很樂觀。 \n \n

  • 《股利-電機》朋程決配息4.5元 Q3業績望小增

    車用二極體廠—朋程(8255)股東會通過每股配息4.5元,中美貿易戰及新冠肺炎疫情衝擊汽車產業,致使朋程業績受到影響,儘管第3季市場需求不明顯,朋程因客戶未流失,朋程董事長盧明光表示,第3季內部預估業績可望較第2季小幅成長,至於新廠預估於明年第2季完工。 \n 朋程今天舉行股東會,中美貿易戰及新冠肺炎疫情蔓延,致使全球經濟受到很大影響,服務業、觀光旅遊、航空業及製造業均受到衝擊,汽車產業亦受到很大的影響,盧明光表示,全球車市出貨大幅下滑,平均影響程度達到50%,連帶朋程業績也受到衝擊,不過,他強調,朋程並沒有流失客戶。 \n \n 新冠肺炎導致歐美車廠停工,朋程第1季稅後盈餘為7364萬元,年減26.41%,單季每股盈餘為0.8元,累計前4月合併營收為10.46億元,年減1.02%,朋程預估,第2季業績將較第1季下滑,由於疫情導致市場需求不明顯,不過盧明光表示,第3季業績有機會較第2季小幅成長。 \n 儘管有新冠肺炎疫情干擾,朋程新廠建置投資和新產品送樣進度沒有改變,盧明光表示,新廠預計明年第2季完工,未來將以生產事電動車絕緣柵雙極電晶體(IGBT)模組為主,目前公司IGBT模組持續送樣,雖然尚無客戶正式下單,但已有兩家日本和歐洲客戶議價已完成,預估明年到後年有機會大量生產。 \n 朋程今天股東會通過2019年財報及配息,朋程2019年合併營收為33.59億元,稅後盈餘為3.22億元,每股盈餘為4.11元,預計每股配發4.5元現金股息,包括:3.15元盈餘分配和資本公積1.35元。 \n \n

  • 茂矽4月獲利 年增1.38倍

    茂矽4月獲利 年增1.38倍

     晶圓代工廠茂矽(2342)公告4月自結財報,稅後純益達800萬元,相較2019年同期成長138.1%,每股淨利達到0.05元。法人看好,茂矽受惠國際IDM大廠減產或停工,可望帶動第二季業績轉盈,第三季業績也抱持正面看待,且隨著車用電子市場持續成長,後續搶進絕緣閘雙極電晶體(IGBT)市場可期。 \n 茂矽應證交所要求公告4月自結損益財報,單季合併營收達1.63億元、年增97.6%,稅前淨利達800萬元,稅後純益同樣為800萬元,相較2019年同期成長138.1%,每股淨利為0.05元。 \n 法人指出,茂矽4月業績主要受到金氧半場效電晶體(MOSFET)客戶的回補庫存需求,再加上額溫槍感測元件急單帶動產能利用率提升,推動單月業績出現轉盈,且後續業績將可望持續在MOSFET、額溫槍等訂單獲待挹注,推動第二季業績繳出獲利的水準,擺脫連續五季虧損。 \n 據了解,MOSFET需求近期出現急升態勢,主要原因在於新冠肺炎疫情影響,使居家辦公、遠端教育需求大增,帶動PC、伺服器等訂單強勁,舉凡商用筆電及教育用Chromebook出貨量都大幅成長,帶動MOSFET供應鏈出貨都繳出亮眼表現。 \n 在PC供應鏈有所布局的記憶體控制IC廠慧榮總經理苟嘉章對此也指出,第二季筆電及伺服器相關市場需求火熱,且這波效益可望延續到第三季,不會有外界預期的第三季傳統旺季已經往前挪移到第二季的狀況發生。 \n 且在新冠肺炎疫情衝擊歐美的情況下,國際IDM廠為配合當地政府防疫,因此削減廠內作業人數,甚至有部分的廠區更受到疫情影響而暫時關閉,使得茂矽接單量能大幅成長。 \n 因此法人圈看好,茂矽在MOSFET及額溫槍感測元件接單量能有望一路延續到第三季,推動產能利用率維持在高檔水準,除了第二季將繳出獲利水準之外,第三季亦有機會保持正成長表現。 \n 當前汽車市場雖然受疫情衝擊,不過車用電子市場依舊備受市場期待,原因在於自動駕駛及電動車發展趨勢不變,當中IGBT具備高能源轉換特性,可望成為未來功率半導體市場新星,茂矽將在2020年完成8吋及6吋場截止型IGBT(FS-IGBT)背面製程產能建置,成為搶攻IGBT市場的利器。

  • 尼克森 搶食5G、電動車有望

     5G及電動車浪潮推動下,能承載更高電壓、效率更好的碳化矽(SiC)已經成為國際大廠搶攻的新藍海,金氧半場效電晶體(MOSFET)尼克森(3317)2019年已經完成開發SiC高壓MOSFET,2020年將進軍大電流及第三代絕緣柵雙極電晶體(IGBT)領域,未來搶食5G、資料中心及電動車市場可期。 \n 5G、電動車需求持續推動下,開始加速SiC相關元件技術發展,由於SiC對比現在採用的矽(Si)在耐電壓方面有大幅提升,SiC可承受電壓幾乎都是600V起跳,且具備低功耗特性,因此對於能源轉換效率上明顯優於過往產品,未來將可望被大量應用在5G、電動車、資料中心及消費性市場。 \n 據了解,隨著歐盟環保法規不斷強化,新一代汽車、電動車都必須提升能源轉換效率,SiC及GaN等寬能隙製程已經成為一級零組件大廠搶攻的焦點,另外5G由於功率提升,因此功耗亦相較4G提升,舉凡基地台及其他基礎建設也開始有採用SiC及GaN的趨勢,顯示相關商機十分龐大。 \n 由於商機十分廣大,因此舉凡意法半導體及英飛凌等國際大廠都相繼投入這塊市場,並開始逐步量產出貨,搶食這塊SiC商機。 \n 市場傳出,尼克森不落人後,已經完成開發SiC製程平台的600V及1200V的Power MOSFET產品線,有機會在2020年開始出貨,搶攻這塊SiC新藍海市場。不僅如此,尼克森規劃在2020年投入新一代的SiC製程平台研發,預計將會搶攻650V及1200V的大電流Power MOSFET等新產品研發,提前佈局後續即將爆發的SiC市場,且在新世代功率半導體市場表現也領先同業。 \n 另外,IGBT產品部分,尼克森亦有所斬獲。法人指出,尼克森2019年已經完成第二代650V截止型(FS)IGBT研發,預期2020年將再度投入第三代650V及1200V的IGBT研發,可望在2020年傳出好消息。 \n 觀察尼克森近期業績表現,4月合併營收月成長21.5%至2.46億元,寫下五個月以來高點。法人看好,尼克森第二季將可望受惠於PC市場需求成長,帶動MOSFET出貨上揚,繳出明顯優於第一季的成績單。

  • 茂矽Q2接單旺 拚虧轉盈

    茂矽Q2接單旺 拚虧轉盈

     晶圓代工廠茂矽(2342)受惠於紅外線額溫感測元件及金氧半場效電晶體(MOSFET)的訂單轉旺,第二季產能利用率衝高並推升營收及毛利率,法人看好單季由虧轉盈。 \n 雖然新冠肺炎疫情影響造成國際IDM廠停工或縮減產能,反而替茂矽帶來更多急單及轉單,同時,茂矽已完成6吋及8吋的車規及工業絕緣閘雙極電晶體(IGBT)產能布局,下半年進入量產,營運將進入獲利成長循環。 \n 茂矽第一季合併營收季增1.3%達3.97億元,較去年同期成長7.6%,平均毛利率達15.8%,營業利益0.11億元,本業連續二季度維持獲利,但因提列轉投資的金融資產評價減損,第一季歸屬母公司稅後淨利1.06億元,每股淨損0.69元。茂矽4月接單暢旺,合併營收月增20.3%達1.63億元,與去年同期相較大幅成長97.6%,累計前四個月合併營收5.60億元,較去年同期成長24.2%優於預期。 \n 茂矽4月營收明顯回升,主要受惠於大陸紅外線額溫感測元件急單湧現,以及MOSFET庫存回補需求回升。由於新冠肺炎疫情影響國際IDM廠營運據點,部分晶圓廠或封測廠因疫情封城而停工或縮減產能,導致功率半導體訂單轉向疫情穩定的台灣,茂矽持續接獲客戶急單及轉單,法人看好第二季合併營收及毛利率都明顯回升,單季可望由虧轉盈。 \n 茂矽去年轉型爭取高毛利的車規以及工業功率元件訂單,並與強茂、朋程等二極體廠策略合作進行上下游垂直整合,去年第三季起代工產品已通過車用零件大廠品質稽核。茂矽去年車規產品的產出比重約10%。 \n 茂矽表示,看好電動車是汽車產業未來主要成長動能,且IGBT在車用市場需求與日俱增,去年擴建IGBT產能,今年可完成8吋及6吋共用的場截止型IGBT(FS-IGBT)背面製程產能建置,可望擴大車規及工業IGBT的產出比重,為未來奠定穩健的成長動能。 \n 茂矽已提供600V到1200V的工業及家電用IGBT產品線,今年將跨入1700V高壓市場,第三季完成FS-IGBT後段關鍵設備的裝機後將進入試產階段,第一階段月產能約5,000片,後續將再持續擴充,而茂矽將成為台灣唯一提供車用IGBT產能的晶圓代工廠。

  • 《業績-半導體》茂矽4月營收創17月新高 年增97.6%

    晶圓代工廠茂矽(2342)接單持續增溫,4月營收1.63億元,創17個月以來新高,月增率20.26%,年增率97.60%;今年營收回復成長,1-4月營收5.6億元,較2019年同期增加24.15%。 \n 茂矽今年以來接單穩定增加,營收續增溫;公司先前自結1月獲利1900萬元,比去年同期由虧轉盈,並預計MOSFET車用訂單今年占比續升,全年整體營運拚轉盈。此外,公司將於今年底跨入車用絕緣閘雙極電晶體(IGBT)市場。今股價隨4月營收攀高強攻漲停27.3元。 \n 回顧第一季,茂矽2020年1-3月營收3.96億元,較去年同期增加7.67%。先前公布自結1月營收1.39億元,自結單月獲利1900萬元,每股稅後淨利0.12元,比去年同期由虧轉盈。 \n \n 茂矽自去年下半年起本業已逐步回溫,公司積極布局車用、工業和高端MOSFET應用市場,並將於今年底跨入車用絕緣閘雙極電晶體(IGBT)市場。 \n 展望今年,茂矽積極布局車用、工業和高端MOSFET應用市場,去年車用訂單成長達五成,營收占比約10%,預期今年車用訂單可望持續成長,IGBT則預計將於第四季試產。 \n 茂矽布局IGBT,預計第二季將完成8吋與6吋共用之IGBT晶背製程無塵室建置,第三季將完成關鍵設備裝機,並於第四季進入試產,初期月產能約5000片,將成為台灣第一條車用IGBT產線。 \n \n

  • 功率擴展! 英飛凌推新額定電流模組

    英飛凌科技(Infineon)旗下1200V TRENCHSTOP IGBT7系列推出新的額定電流模組。這使得Easy 1B和2B產品系列更趨完備,現在可以透過結合最新的晶片技術,以PIM拓撲實現高達11kW的功率解決方案,或以six-pack拓撲實現高達22kW的功率解決方案。 \n客戶可以這樣選擇:以IGBT7技術取代IGBT4來提高使用Easy 2B模組的系統功率,或是在特定情況下用Easy 1B IGBT7替換Easy 2B IGBT4,以減少相同功率所需的佔板面積。一如之前的TRENCHSTOP IGBT7 Easy模組,新推出的額定電流的模組能完全滿足工業驅動的設計需求。 \n相較於前幾代產品,TRENCHSTOP IGBT7晶片提供更高的功率密度,大幅降低損耗,並實現對馬達應用的高可控性。結合此新型晶片技術的所有模組均與上一代TRENCHSTOP IGBT4模組引腳向下相容。這有助於製造商縮短新逆變器平台的設計週期。 \nTRENCHSTOP IGBT7晶片採用新型微溝槽技術,與IGBT4晶片相比,其靜態損耗大幅降低,導通電壓亦降低20%。如此可以大大降低應用中的損耗,特別是常時以中等開關頻率運作的工業馬達。 全新功率模組允許的最高超載結溫為175°C,此外,亦具有更軟開關特性。

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