搜尋結果
以下是含有LPDDR的搜尋結果，共30筆
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全球首家！輝達市值跨越5兆美元
輝達執行長黃仁勳28日在GTC科技大會駁斥AI泡沫憂慮，並預期最新晶片可望在未來幾季創造5,000億美元營收，樂觀談話激勵市場信心，帶動輝達股價和市值狂飆。
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《科技》高通擴張AI版圖 AI200、AI250鎖定資料中心推論市場
高通技術公司今（29）日宣布推出新一代專為資料中心AI推論最佳化的解決方案，以高通AI200與AI250晶片為基礎打造的加速卡及機架系統，能以出色的每美元每瓦效能支援高速生成式AI推論，為推動跨產業可擴展、高效且靈活的生成式AI應用邁出重大一步。高通AI200與AI250晶片預計將分別於2026年與2027年正式上市。
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高通攻推論AI 帶旺台封測鏈
高通（Qualcomm）正式宣布進軍AI200／AI250推論AI資料中心市場，將行動晶片的能效優勢延伸至伺服器領域，首批AI200預計2026年進入量產。法人指出，高通這波「由行動跨入資料中心」的轉型，不僅改寫AI晶片生態，也將使多模組、高密度的SiP（系統級封裝）與記憶體模組測試需求增加，將為台系封測雙雄日月光（3711）與力成（6239）開啟新一輪成長動能。
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OpenAI新計畫 設備廠搶上車
OpenAI啟動名為「Stargate」的超大型資料中心計畫，將推升記憶體產業，於未來四年投入高達1,600億美元資本支出，其中，晶圓設備（WFE）支出約1,120億美元、後段封測與測試產能約480億美元。
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2025記憶體高峰論壇 創新局
人工智慧應用加速成長，記憶體與運算架構創新已成產業競爭核心焦點。SEMICON Taiwan 2025記憶體高峰論壇上，SK海力士與三星電子兩大記憶體巨頭罕見同台，直言記憶體已是AI時代的戰略制高點。
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輝達GB300量產 Rubin系列暖身
晶片大廠輝達（NVIDIA）28日公布2026財年第二季財報，執行長黃仁勳表示，Blackwell系列全面展開出貨，GB300已進入全速量產，單季貢獻突破百億美元。供應鏈透露，新世代Vera Rubin系列也已在晶圓代工廠進行暖身，其中，Rubin GPU採用台積電N3P製程打造，並以CoWoS-L先進封裝整合；Rubin Ultra則規劃導入方形載具，推動供應鏈積極投入CoPoS發展。
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Q2營收、獲利雙創高 SK海力士估HBM銷售優去年
韓國半導體大廠SK海力士公布第二季財報，受惠於生成式AI晶片所需的高頻寬記憶體（HBM）需求強勁，營收與獲利雙雙創下歷史新高，並且超出市場預期。它還預估今年HBM銷售有機會較去年翻倍。
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《半導體》智原新DDR/LPDDR實體層IP方案 支援聯電22ULP與14nm製程
智原（3035）宣布推出可支援DDR與LPDDR第三至第五代的通用實體層IP，適用於聯電（UMC）22ULP與14FFC FinFET製程。智原持續專注於提供優化的自有IP解決方案，協助ASIC客戶提升開發效率、降低開發風險，並強化產品的成本競爭力。
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輝達RTX PRO 6000出貨量添變數
針對專業工作負載與AI應用所設計的NVIDIA RTX PRO 6000系列產品，尚未上市已備受矚目。業界人士預期，在需求支撐下，整體出貨將有不俗表現。
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中、韓廠加速布局次世代記憶體
韓廠三星與陸廠長鑫存儲積極布局次世代記憶體。據業界消息，三星位於韓國華城的DRAM第17產線（Line 17）正推動製程轉換，預計從DDR4轉向14／16奈米等先進製程，配合高頻寬記憶體（HBM）與次世代DRAM量產。
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《半導體》南茂首重提升稼動率 Q2記憶體動能較強
南茂(8150)周二召開法說會，由董事長鄭世杰主講。展望後續營運，南茂董事長提到，今年整體產業狀況相當不明朗，後續不確定性仍高，南茂策略以提升稼動率為優先考量。不過記憶體營收動能受惠記憶體價格回穩，第二季記憶體整體動能優於DDIC產品，下半年記憶體狀況亦可望較佳，DDIC則不明朗。
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《科技》美光聯手輝達 推全球首款SOCAMM記憶體模組解決方案
美光(Nasdaq：MU)周二宣布成為全球首家且唯一同時出貨HBM3E及SOCAMM(小型壓縮附加記憶體模組)產品的記憶體廠商，這兩款產品專為資料中心AI伺服器設計，可望進一步鞏固美光在業界的領先地位，尤其展現其在資料中心應用低功耗雙倍資料速率(LPDDR)記憶體的開發和供應方面的優勢。其中美光與NVIDIA合作開發的SOCAMM是一款模組化LPDDR5X記憶體解決方案，專為支援NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra超級晶片而設計。
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美設備禁令升級 台DRAM廠間接受惠
美國商務部升級對中國大陸半導體設備出口禁令，限制25奈米級以上設備的採購與技術支援，衝擊陸廠長鑫存儲的產能擴張，因客戶可能轉向台灣採購成熟製程產品，間接讓台廠如華邦電、南亞科受惠。
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半導體夥伴大會師 台積OIP、TSIA年會 接力上陣
半導體盛事一波接一波，台積電OIP（開放創新平台）6日於新竹登場，台灣半導體產業協會（TSIA）年會緊接著於7日舉行，凸顯台灣半導體技術擴張至全球的創新優勢。供應鏈透露，蘋果評估在A20 Pro首先搭載台積電2奈米製程，並結合CoWoS-R、InFO封裝特性之WMCM（晶圓級多晶片模組）封裝，將手機AP與LPDDR進行整合，將大幅提高運算效能並降低功耗，高通、聯發科及英特爾也進行評估。
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Arm加持！神盾攻AI伺服器CPU
神盾積極轉型，透過Arm Neoverse運算子系統（CSS）搶進AI伺服器CPU市場。董事長羅森洲指出，神盾未來將以IP（矽智財）為主，提供集團子公司火力支援，其中，手握乾瞻UCIe晶片互聯關鍵，更是業界領先台積電進行3奈米開發之團隊；他透露，明年將有4奈米CPU晶片Tape-out，以Arm CSS V3平台打造。
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元太攜奇景 推尖端彩色電子紙時序控制晶片T2000
元太(8069）與奇景光電（納斯達克代號：HIMX）31日共同宣布，聯手開發的新一代彩色電子紙時序控制晶片（ePaper Timing Controller） T2000，以更快的速度、更少的電力驅動畫面更新，支援元太全系列彩色電子紙技術平台，瞄準閱讀、廣告看板與其他電子紙平台應用市場。
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三星新DRAM 取得聯發科驗證
三星電子16日宣布，該公司最新款的10.7Gbps LPDDR5X DRAM，已針對聯發科（2454）即將推出的天璣9400系統晶片完成驗證。據了解，兩家公司透過密切合作，僅用三個月的時間，就完成了驗證。
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《半導體》AI趨勢正夯 M31先進製程IP成利器
M31(6643)首次參展於美國舊金山莫斯康展覽中心舉辦的第61屆設計自動化大會(DAC)，展示M31最新先進製程矽智財解決方案。M31瞄準在人工智慧趨勢下，需利用先進製程技術來提升晶片的計算密度和效能，M31目前已成功推進至3奈米及其他更小幾何尺寸製程，可幫助客戶達成具差異化和競爭優勢的設計目標。
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AI筆電搭載DRAM容量 看增7％
AI NB成長動能看俏，TrendForce預估，隨AI NB滲透率自2024年的1％，提升至2025年的20.4％，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將帶動整體平均搭載容量成長0.8GB，增幅至少為7％。
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《科技》AI浪潮推波 NB DRAM明年搭載容量增幅7%起跳
全球市場研究機構TrendForce認為，2025年隨著AI應用完善、能處理複雜任務、提供更好的用戶體驗並提高生產力，將帶動消費者對於更智能、更高效的終端設備需求迅速增長，AI NB滲透率將快速成長至20.4%的水位，預期AI NB浪潮亦將帶動DRAM Content成長。隨AI NB滲透率升破2成，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將至少帶動整體平均搭載容量將成長0.8GB，增幅至少為7%。