国际记忆体大厂全力扩建3D NAND产能,但在SLC NAND的供给策略已有所变化,据通路业者消息,全球记忆体大厂三星及美光相继淡出4Gb以下低容量SLC NAND市场,价格因供货量减少可望在今年底或明年初率先调涨。

由于包括工控及安控、物联网、穿戴装置等SLC NAND需求强劲,相关订单除了转向SK海力士,法人也看好华邦电(2344)、旺宏(2337)、晶豪科(3006)喜迎转单直接受惠。

三星、铠侠、美光、SK海力士等国际记忆体大厂积极扩建3D NAND产能,至于原本用于生产低容量SLC/MLC NAND Flash的产能,因为量产规模不若以往,基于成本上的考量,业界传出三星及美光相继淡出4Gb以下低容量SLC NAND市场消息。

过去SLC NAND多应用在需要极高可靠性及稳定性的车用或工控等装置中,但随着MLC NAND可靠性提升,中高容量SLC NAND市场逐步被MLC NAND取代,所以业者将低容量SLC NAND调整支援SPI(序列周边)介面,以解决NOR Flash容量提升后的高制程成本问题。

事实上,NOR Flash是现阶段最普及的SPI介面快闪记忆体,但容量提升到512Mb或1Gb以上,单位制造成本大幅提升,但制程微缩到40奈米以下也遇到很大的制造难题。因此,包括三星、华邦电、旺宏等记忆体厂均推出SPI介面低容量SLC NAND,提供系统厂高容量且低成本解决方案,也解决了NOR Flash容量愈高、成本愈高的营运难题。

SLC NAND仍被大量应用在工控及安控、物联网、穿戴装置等市场,如今三星传出逐步淡出,美光也减少供给量,但市场需求仍维持稳定成长,所以系统厂陆续将订单转至仍在生产SLC NAND的记忆体厂如SK海力士,至于在SPI介面SLC NAND多年布局的华邦电、旺宏、晶豪科等也同步受惠。

华邦电11月合併营收年增64.5%达66.75亿元,旺宏11月合併营收年减7.5%达30.10亿元,晶豪科11月合併营收年增46.5%达14.84亿元,表现均优于市场预期。业界认为,中低容量SLC NAND市场的位元供给明年将因大厂淡出而明显降低,在供给减少及需求增加情况下,价格最快可在今年底或明年初出现反弹走势,对业者来说亦可带来正面的营运助益。

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