记忆体涨价 台厂逐利调整产线

动态随机存取记忆体（DRAM）产品价格全面起涨，由于三星等三大原厂看准机会大幅调升利基型DRAM月报价，甚至有的单月价格涨幅逼近双位数，其中以越小容量、越利基的产品涨幅最大。根据集邦科技调查，南亚科、华邦、力积电三大台厂都已依据毛利高低弹性调配产能。

由于目前三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大原厂产能吃紧，标准型DRAM市场仍处供不应求情况，整体市况已正式进入上涨周期，在利基型DRAM方面，以2月合约价来看，DDR2及DDR3的涨幅仍高；DDR4则受到DDR3的追价而持续上扬，目前在利基型DRAM中仍属最大宗应用的DDR3 4Gb，其颗粒均价单月涨幅约6.8%。

集邦科技指出，由于Specialty DRAM（利基型DRAM之一）市况火热，三大台厂都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能。如南亚科已将部分20及30奈米的DDR4投片转换回DDR3；华邦近年重心皆在Flash（快闪记忆体）业务，DRAM产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制，因此该公司选择重点支持DDR2及DDR3小容量产品，也因华邦在该领域拥有相对更高的市占率，掌握更多定价优势。力积电（PSMC）先前主要锁定在逻辑IC代工，但随着DDR3代工价显着上扬，将转移部份产能至DRAM。

集邦科技认为，即便所有供应商加以因应，此波Specialty DRAM供不应求态势将延续至今年上半年，至于后续价格涨幅，将视各原厂产能调整状况而定。