此外，南方科技在即将来临的2021 OPTO台北国际光电周，协同PIDA及台湾化合物半导体及设备产学联盟，于12月22日假台北南港展览馆500会议室，主办「化合物半导体先进光学检测研讨会」。南方科技也将在研讨会最后，发表最新开发之「表面之下－化合物半导体三维缺陷与应力非破坏性检测技术」。
展会期间亦将同时在N513a展位发表最新开发之「傅立叶显微镜－五合一显微术」在「表面之下」材料缺陷检测之应用，以及最新开发之「MicroLED 晶圆巨量高速类EL检测技术」。
南方科技办研讨会 解析第三代半导体
近年来第三类半导体，也就是所谓的宽能隙（wide bandgap）半导体，一直受到业界及市场的瞩目，有鑑于第三类化合物半导体－氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）市场之重要性及发展前景，南方科技针对国内产业发展上的重要关键之一的材料缺陷对磊晶及元件的影响，尤其是针对从基板到磊晶在「表面以下」无法确知的缺陷，造成磊晶到元件不良原因及成本难以掌握及突破等问题，进行了深入的研究。
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