鸿海与国巨共同宣布参与国创31亿元的增资计画,鸿海将持有国创增资后51%股权,国巨及其关联企业则持有49%股权。国创也同步宣布以28.868亿元参与国内功率元件大厂富鼎先进私募,取得富鼎此次3.5万张私募发行的新股,预计在增资完成后,国创将持有富鼎的30.08%股份,成为最大股东。而比较富鼎20日收盘价112.5元,国创半导体的认购私募价格相当于折价26.75%。
鸿海集团董事长刘扬伟表示,半导体作为集团布局的三大核心技术之一,因应3+3策略发展进程,过去一年加速了半导体的布局,透过鸿扬SiC晶圆厂与BOL (Build-Operate-Localize)推展区域晶圆产能合作,MCU/SoC与车厂的合作,国创的类比IC及功率半导体除参与车厂的合作外,功率模组也有不错进展,此次国创藉参与富鼎私募,将一次备齐低中高压Si MOSFET产品线,这将会对双方集团在未来新兴产业如EV及工业,提供稳定的半导体供应来源。
国巨董事长陈泰铭说,与富鼎的结盟是为抓住类比IC及功率半导体未来的契机,一旦产品准备就绪,就可以快速布局到国巨全球通路及客户手上,符合国巨对全球客户提供更完整全方位零组件解决方案的策略。
国创半导体主要设计、开发、生产用于车用、资通讯、工控应用的类比IC与功率元件。
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