力旺Q2营收7.96亿 缔新猷

嵌入式非挥发性记忆体硅智财（eNVM IP）厂力旺（3529）受惠于晶圆代工厂产能全线满载及价格调涨，5日公告第二季合併营收7.96亿元，连续四季度创下歷史新高，上半年获利有机会挑战赚进一个股本。

力旺与安谋（Arm）全新Armv9架构处理器机密运算合作已贡献营收，顺利抢进高效能运算（HPC）市场。

力旺6月合併营收0.89亿元，较去年同期成长55.4％，为歷年同期新高。第二季营运淡季转旺，合併营收季增9.5％达7.96亿元，较去年同期成长47.1％，创下季度营收歷史新高。累计上半年合併营收15.23亿元，较去年同期成长33.9％，改写歷年同期歷史新高。

力旺加快IP研发并已进入最先进制程平台，并发展多元化记忆体技术，满足各式电子产品需求。其中，力旺NeoBit及NeoFuse的布建在主要晶圆代工厂，已顺利完成更多的28奈米到5奈米的验证。力旺NeoEE及NeoMTP开发部分，除了持续在8吋BCD与高电压制程扩建平台外，也进入90奈米及55奈米的开发。

随着今年晶圆代工厂价格续涨及新产能开出，加上晶圆代工厂开始加快导入新一代嵌入式磁阻式随机存取记忆体（MRAM）以及可变电阻式随机存取记忆体（ReRAM），力旺ReRAM和MRAM均已进入22奈米的开发，能提供最具竞争力的MTP及嵌入式快闪记忆体（eFlash）IP方案。

在量产平台方面，力旺OTP于逻辑制程已经推进到6奈米制程，于BCD平台的90奈米及55奈米也已导入试产，MTP完成90奈米BCD制程的可靠度认证，而40奈米的ReRAM同样完成了可靠度认证，客户今年开始会导入量产。

力旺今年28奈米与40奈米NeoFuse的量产晶片数大幅增加，16奈米及12奈米、7奈米等先进制程亦进入量产阶段并带来权利金贡献。力旺认为，今年及明年许多晶圆代工厂积极扩建28奈米及22奈米产能，预计在下半年陆续开出产能后，会再次推升力旺的权利金收入。