三星HBM3E 传Q3供货辉达

台系供应链近期传出，三星的最新一代高频宽记忆体HBM3E，将于8月通过辉达（NVIDIA）认证，并于第三季加入供货行列。

三星对此一消息，迄今并未证实。但业界人士分析，在SK海力士、三星及美光前三大厂，扩产升级HBM制程后，记忆体总投片量将不增反减，对通用型DRAM产能排挤效应，也将逐渐显现，将有助于DRAM价格维持涨势。

目前SK海力士和美光是辉达的HBM3E主要供应商，并已开始出货，而辉达对三星的HBM3E认证，据传将于近期拍板定案，较原先预期的第四季提早。

目前记忆体除了伺服器应用外，其余消费型产品近期的拉货动能转弱，但台系供应链预料，记忆体三大厂至少挪移约20％～30％产能生产HBM，势将造成DRAM供应紧缺，进一步推动DRAM价格上涨。此外，前三大厂近来相继投入资本支出升级HBM制程，但总投片量将不增反减，预期2025年产量将由144.6万片，减少至134.6万片。

另一方面，市场需求回復成长，据IDC预估，2024年全球手机将成长4％，达12.1亿支，并在2024～2028年保持温和2.3％的年复合成长，考量各品牌陆续推出搭载AI相关功能的产品后，对记忆体规格要求的提升，将有助推动DRAM的出货表现。

另外，全球资料中心雨后春笋般的建置，也一定程度刺激伺服器用记忆体的需求量，而记忆体三大原厂皆表示，将持续扩大HBM产能，通用型DRAM产能受到排挤下，DRAM价格将有望保持上升趋势。

惟业者也指出，目前下游零组件库存已相对充足，因此预计2024年第三季价格调涨幅度将低于上半年，但整体而言，记忆体后市仍可正向看待。