HBM需求热 韩记忆体晶片 H1对台出口增225％

《韩国时报》报导，今年上半韩国对台记忆体晶片出口额达到42.6亿美元，足足较去年同期成长225％，主要是受到高频宽记忆体晶片（HBM）需求推动，因为辉达晶片需求爆量不只让台积电订单接不完，也让SK海力士生产的HBM晶片大量送往台积电进行封装。

根据韩国国际贸易协会（KITA）统计，今年上半韩国记忆体晶片总出口额年增88％，同一期间韩国对台记忆体晶片出口增幅高达225％，使台湾超越越南及美国，成为韩国记忆体晶片第三大进口国。

韩国产业研究院（KIET）研究员Kim Yang-paeng表示：「我们认为今年上半韩国对台湾记忆体晶片出口激增主要来自SK海力士对台积电供货。」

今年上半辉达AI晶片持续供不应求，不仅造福代工制造并负责最后封装的台积电，也造福SK海力士，因为SK海力士目前是辉达主要HBM供应商。今年第二季SK海力士HBM晶片营收年增250％以上，并预期今年全年HBM晶片营收成长300％。

业界人士预期未来韩国对台湾记忆体晶片出口额将加速成长，因为SK海力士对手三星电子也可望为辉达供应HBM晶片。

路透日前引述消息报导，三星生产的8层HBM3E晶片已通过辉达测试，可望在近日签约，最快今年第四季开始为辉达供货。

路透在今年5月曾引述消息报导，三星自去年起便努力想成为辉达HBM3供应商，无奈三星生产的HBM3及HBM3E因过热及耗电问题，迟迟无法通过辉达测试。三星为此重新调整晶片设计，终于让HBM3在近日通过辉达测试，将应用于辉达针对中国市场推出的H20处理器。

三星稍早向路透发出声明，表示三星产品确实依照进度测试中，目前「正与不同客户合作测试且过程相当顺利」，但并未正面回应有关辉达测试的传闻。