先进制程A14推演…台积导入High-NA EUV几成定局

台积电、imec等尖端研究团队持续挑战，以追求相同晶片面积高频宽、低功耗之最佳解方突破。imec更擘划埃米世代蓝图，2040年有望突破A1极限，并透露A14开始将必须採用High-NA EUV(高数值孔径EUV)，业者解读，这意谓着台积电导入只是时间早晚问题

imec总裁暨执行长Luc Van den hove强调，将与合作伙伴共同面对技术挑战。imec最新技术蓝图显示，2027年将进到A14节点，届时为达到21奈米的Metal pitch(金属层间距)，将需要导入0.55NA EUV即为高数值孔径极紫外光设备(High-NA EUV)。

这意谓着台积电导入只是时间早晚问题。台积电指出，每当有新结构和新工具，如High-NA EUV，都会仔细检视成熟度、成本和时程表、以及如何实现；台积电总是在正确时刻，做出正确决定，服务客户。

台积电研究发展副总经理曹敏分析，从场效电晶体(FET)取得PPA(效能、功耗、面积)成长效果递减，为延续高成长，台积电不排除新兴材料的发展。看好人工智慧带来的巨大发展浪潮，曹敏表示，AI模型复杂性或算力，都将呈现指数级增长。

曹敏指出，汽车领域将很快採用3、5奈米晶片，台积电将能提供支援，完成自动驾驶L2到L5的最后一哩路，预估2030年半导体市场将达1兆美元规模。