创意、美光 3奈米HBM3E开花

ASIC设计服务公司创意24日宣布，其3奈米HBM3E控制器和实体层IP（Physical Layer IP）获得云端服务供应商（CSP）及多家高效运算（HPC）业者採用。该尖端ASIC预计将于今年流片，并搭载最新的9.2Gbps HBM3E记忆体技术；创意表示，积极与HBM供应商（如美光）合作，为下一代AI ASIC开发HBM4 IP。

创意的HBM3E IP方案在技术上领先市场，并已通过台积电先进制程技术的硅验证，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P制程。此外，创意电子的IP亦通过所有主流HBM3供应商的硅验证，确保其解决方案的兼容性与稳定性；公司积极与HBM记忆体供应商如美光科技合作，致力于开发下一代HBM4 IP，以应对未来更多元化的应用需求。

法人指出，创意与CSP业者合作密切，其中包含微软、谷歌等都有协助开发ASIC经验。推测该案为打造base die，法人分析，以9.2Gbps传输速度为分野，速度要更快就必须使用先进制程logic die，如果要再连接UCIe（通用小晶片互连）即要使用5奈米甚至客制化。

目前除了辉达、超微通用型GPU大厂外，HBM3E解决方案採用率不高，但伴随今年流片，未来将成为AI伺服器标配，甚至加快往更高阶之HBM4。创意于HBM4 IP已经准备完成，有望为公司创造更大获利。

创意表示，与美光的合作证明，创意之HBM3E IP与美光HBM3E可以在CoWoS-S和CoWoS-R技术上实现9.2Gbps高频宽记忆传输；现在更通过多个先进技术与主流厂商的验证，获多家大厂採用。创意行销长Aditya Raina提到，未来将持续为各种应用提供支持，包括人工智慧、高效能运算、网路和汽车。