先进封装 提高载板技术要求

台积电、英特尔等半导体巨头正致力于开发多种先进封装技术，例如台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和英特尔的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）与Foveros 3D封装技术。

产业界人士指出，这些技术已逐渐成为高性能晶片的关键解决方案。

随着先进封装技术进步，对载板技术的要求也随之提升。因晶体管数量增加、记忆体密度需求提升，载板尺寸预计会变得更大。

在材料方面，业界正考虑以更高强度、更高散热性能的材质替代传统的材料，以应对先进封装对温控和讯号完整性的高需求。

业者分析，因应电晶体数量提高，加上高频宽记忆体（HBM）容量增加，载板尺寸也会相对应放大，预期未来大尺寸产品面积往100*100mm甚至120*120mm接近。

而载板面积放大，将增加产品平整度要求，使核心材料改变纳入讨论，如Low CTE玻布或玻璃核心基板（Glass Core）等，其中，玻璃基板目前处于开发阶段，未来需要玻璃、机台等供应链一起投入开发。