台积电日前于法说会中释出乐观展望,预期2奈米节点前两年tape-out数量将超过3奈米及5奈米制程前两年数量,主因智慧型手机与HPC应用推动,会中释出2025年资本支出展望,亦创新高。
闳康表示,随AI快速发展,驱使GPU与ASIC等AI加速器需求激增,根据国际大厂超微(AMD)的预估,估计到2028年时,资料中心AI加速器TAM(整体潜在市场)将达5,000亿美元,2023至2028年间的年复合成长率将超过60%。AI加速器晶片设计复杂,对效能和可靠性要求极高,这也进一步推升了对MA和FA的需求。
闳康积极布局AI加速器领域,并拥有先进的分析技术和设备,例如:穿透式电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)和二次离子质谱仪(SIMS)等,可以协助客户深入分析AI加速器晶片的材料特性、结构缺陷和失效机制,加速产品开发和量产。
日本近年积极推动半导体復兴,闳康的日本客户也预计2025年4月进入试产,目标是生产2奈米以下的先进晶片,如何快速提升良率将是一大挑战。在先进制程的研发和量产过程中,检测分析能力是制程开发和提升良率的关键因素。
闳康凭藉着在MA和FA领域长期积累之经验,将协助客户快速建置产线制程、分析晶片缺陷、找出良率瓶颈,并提供改善方案。预期先进制程及日本实验室之营收贡献,将持续带动闳康业绩增长。
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