2奈米激战 英特尔18A进入风险试产

英特尔于2025愿景大会上抛出震撼弹，宣布18A制程节点正式进入「风险试产」（Risk Production）阶段，此举不仅为该公司「四年五节点」（5N4Y）计画立下关键里程碑，更象徵英特尔重夺制程领先地位的野心，迈入实质发展阶段。值得关注的是，此为新任执行长陈立武接棒后首度公开亮相，业界解读此举在向台积电、三星等竞争对手展示技术肌肉。

Intel 18A制程将成为首款同时採用PowerVia背面供电和RibbonFET闸极环绕（GAA）电晶体技术；相对竞争对手，台积电则会在今年下半年2奈米使用Nanosheet电晶体技术、2026年下半年导入「超级电轨」（Super Power Rail）。半导体业者透露，若Intel 18A推进顺利，将会比台积电2奈米更早导入晶背供电技术。

惟业者认为，目前尚不清楚18A风险试产，是针对其自家的Panther Lake处理器或外部代工客户，然对照英特尔产品线时程，Panther Lake将于今年下半年投入量产，该晶片很可能就是试产的对象。至于三星部分，由于是最早导入GAAFET电晶体技术，但良率始终未达量产水准；目前则主要关注三星自家Exynos 2600晶片，是否会在5月投入生产。不过，三星预计2027年才会在SF2Z加上背面供电技术，推进上又较竞争对手相对缓慢。

在三大业者往2奈米前进之际，日本Rapidus也不容小覷，据悉其北海道千岁市的2奈米晶圆厂、试产产线计画将在本月启用，瞄准2027年开始量产。晶片业者乐见有更多供应商加入战局，主因2奈米生产成本真的是居高不下，单片晶圆（Wafer）超过3万元美元，前期投入就是耗费鉅资的开始。