国仪中心联手鼎极 提升晶圆产能

鼎极从今年起到2027年与美国晶片制造商安森美（ON Semiconductor）捷克厂合作进行技术验证，从Beta-site测试开始，力拚试量产，并将机台推广到欧洲。未来还计画扩展至8吋碳化硅晶圆与多层异质结构元件应用，也有机会应用于其他高硬度材料精密加工，如氮化镓、陶瓷基板与先进封装材料。

这项技术主要透过国仪中心累积的精密光学与先进雷射研发能量，导入红外线奈秒级雷射系统，有效回应产业对于高效率、低损耗制程的迫切需求。合作记者会上包括国研院院长蔡宏营、国研院国仪中心主任潘正堂、副主任林郁洧，与鼎极董事长坂西升一、营运长钱俊逸均出席。

钱俊逸表示，再生能源、工业应用如伺服器电源，及卫星、航太、国防等三大领域构成碳化硅市场「三本柱」，预估2029年碳化硅市场上看100亿美元，是台湾再次抓住关键产业的机会。

钱俊逸还说，透过减少制成耗材使用、制程最佳化、制程简化三解决方案，预估前期晶圆制造可减少超过10％生产成本，后期晶圆后制程可再降低20％成本。

国仪中心也介绍，以雷射研磨可将每片碳化硅晶圆研磨时间从三小时缩短为两小时，且不会造成晶圆损伤。另一优点是碳化硅晶圆硬度由原本约3000HV（维氏硬度试验）降至60HV，显着降低加工时间、成本。为国产化合物半导体功率元件量产铺路，拓展未来电动车、再生能源、资通讯设备等民生应用场域发展潜力。