三星HBM3E产品 拚切入辉达供应链

知情人士透露，三星已调整了产品策略，放弃原计划搭载于H20 GPU的HBM3E 8层版本，将研发与产能资源集中在高获利的12层产品，藉此加速切入辉达供应链。

市场分析师指出，HBM3E 12层在频宽、容量与效能方面均优于8层版本，且具备更佳的单位获利率。

随着AI与高效能运算（HPC）需求持续攀升，业界正出现由中阶规格，向高阶规格快速转移的趋势，三星的HBM技术提升，预料将对目前在HBM市场领先的SK海力士带来压力。

此外，三星也在加速下一代HBM4的开发，採用先进的1c（10奈米级第6代）DRAM制程。内部试产（PRA）良率最高已达60％，惟良率仍存在波动，如何确保稳定量产，是下一阶段的重要课题。业界人士也认为，若三星顺利通过NVIDIA的认证并确保量产稳定性，将有望在高阶AI记忆体市场，与SK海力士、美光形成三强鼎立的竞争格局。