汉磊(3707)推出碳化硅(SiC)第四代平面型MOSFET技术平台(G4制程平台),消息激励该公司股价,3日早盘直奔涨停板价49.35元,逾1.6万张买单高挂,强势锁住直到终场。

汉磊G4平台已通过完整客户验证,相较于2024年推出的第三代(G3),晶片面积缩小约20%,导通电阻改善20%,大幅提升功率密度与效能,技术已达国际IDM大厂水准。

就业绩表现来看,汉磊上半年因市场库存调整业绩承压,但随景气回温,下半年有望復甦。

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