大摩升记忆体双箭头目标价创新高
大摩升记忆体双箭头目标价创新高

摩根士丹利证券指出,AI正推动记忆体产业进入前所未有的超级循环(Unprecedented Supercycle),持续带动DRAM、NAND,甚至NOR Flash需求急速成长,成为产业长线动能的主要驱动力,将群联、南亚科股价预期双双调升至全市场最高的1,000元与110元。

大摩美国研究团队近日才升评国际大厂美光,强调现在参与记忆体上行循环并不算晚。摩根士丹利证券半导体产业分析师詹家鸿指出,针对DRAM产品,主流记忆体供应商日前暂停对企业客户报价,这通常意味产品价格还有向上空间;预期未来三个季度DDR4将持续出现约10%~15%的供给缺口,若再考量封测端的产能限制,恐进一步加剧供应吃紧情况。

詹家鸿说明,南亚科公告第三季营收季增79%,研判这股动能将延续至第四季,届时单位售价较第三季可望至少再涨20%,反映市场已明显转向由卖方主导。

针对市场担忧南韩三星、长鑫存储是否因为DDR4大涨,重返DDR4市场,或是延长产品生命周期结束(EOL)的时程,导致价格未来一至二季可能崩塌。詹家鸿强调,DDR5与HBM不仅提供更大市场规模,长期也更具潜力,也就是说,三星、长鑫存储若将专注力摆回DDR4,并不实际;整体而言,DDR4供应吃紧状况仍遭市场低估。

另一方面,随AI推论需求加速增长,以及HDD硬碟容量限制逐渐浮现,促使主要云端服务供应商已将明年的NL eSSD订单增加逾1倍。根据大摩基本情境推估,AI基础设施快速扩张,将使2026年NAND出现约2%供给缺口;在乐观情境下,NL SSD将进一步取代NL HDD,明年NAND供给缺口来到5%,并于年底扩大至8%。因此,大摩预期NAND明年价格至少将上涨15%左右,模组厂如:群联将明显受惠。

基于供给缺口欲小不易,摩根士丹利证券看好,传统DRAM供应商在明年将持续享有报价上扬的利多加持,包含南亚科、华邦电、北京兆易创新等,获利动能均备受期待。此外,从NAND模组展望更加,以及长期eSSD商机角度切入,大摩亦持续看多群联与慧荣科技。

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