良率逼近80％ 三星1c DRAM推进量产

业者指出，DRAM从实验室阶段转入量产初期时，成品率通常仅约50％，需提升至80％至90％，才能进入稳定商转。

鑑于DRAM为HBM核心元件，这项进展也预示着三星的HBM4量产计画，即将启动。随着DRAM良率改善，三星已将平泽（Pyeongtaek）P4晶圆厂，定位为1c DRAM的主要生产基地，相关设备已完成安装，即将启动大规模量产。

HBM市场领导大厂SK海力士目前採用「1b DRAM」，作为其HBM4核心，并已宣布HBM4开发完成、进入量产准备阶段，被视为率先卡位市场。

根据韩媒报导，SK海力士计画在HBM4E量产后，再扩大1c DRAM的产量，HBM4E将以1c为核心晶片。至于即将于2025年下半年量产的HBM4，则继续採用更成熟的1b DRAM制程。

而另一HBM供应商美光亦积极布局，其HBM4样品已出货，频宽高达2.8TB／s，显示技术进展迅速。

法人认为，若三星能使1c DRAM良率稳定达80％以上，将突破HBM4量产关键门槛，不仅有助其重夺高频宽记忆体市场主导权，也将强化其在AI伺服器用记忆体的竞争地位。