《半导体》十铨攻电竞 推进新世代DDR5记忆体

十铨针对新世代DDR5记忆体的推动十分积极，在完成标准型DDR5 U-DIMM及SO-DIMM并与板厂合作验证后，宣布进程有上述的新突破。DDR5超频记忆体在升级PMIC后拥有更大幅度的电压调整空间，开发阶段进入到超频后，此PMIC可提供2.6V以上的电压增加记忆体高频驱动能力。

在DDR5以前的世代，电压转换是由主机板控制，而进入到DDR5后将元件移至记忆体本身，电压转换将由记忆体处理，不仅减少电压损耗，还可减少杂讯产生，让超频空间相比于过去能拥有更大幅度的提升，带来更强大的运算能力。