陆行之示警：英特尔弯道加速超车 台积电不能轻敌

英特尔发表新的制程与封装创新蓝图规划，并持续扩大在晶圆代工领域的深度，企图在2025年之前技术赶上台积电与三星电子，知名半导体分析师陆行之表示，英特尔加速日来了，台积电不能轻敌，因为这虽然是宣战，但也算是正名及缩短差距的弯道加速超车新策略。

对于英特尔的4年大计，陆行之今(27日)在脸书发文表示，一般人会认为，英特尔制程工艺打不过、追不上台积电，用改名快，但他有一些不同的看法，他反而觉得台积电不能轻敌，这个虽然是宣战，但也算是正名及缩短差距的弯道加速超车新策略，因为英特尔本来2022年的10奈米及2023年的7奈米，确实跟台积电的7奈米及4奈米不相上下。

陆行之表示，英特尔现在终于放弃了过去在节点名称的坚持，回归产业正轨，这样半导体分析师也比较轻松，以后就专心盯着每家资本开支、量产时点、良率、产能利用率、成本等等，这是自Pat Gelsinger上任执行长后，英特尔一口气公布未来5年的制程工艺蓝图，以后再延迟，就一翻两瞪眼很难看了。

陆行之也说明，英特尔2022年原本要用10奈米SuperFin加强版量产做的笔电CPU Alder Lake 伺服器 CPU Sapphire Rapids正名为7奈米，与台积电相差4年；2023年原本要用7奈米量产做的笔电CPU Meteor Lake伺服器CPU Granite Rapids正名为4奈米，与台积电相差1年。

另外，英特尔第一次宣布的3奈米要在2023年下半年投片量产，与台积电相差1年；英特尔第一次宣布的2奈米/20A Angstrom 埃米（有Ribbon FET PowerVia GAA）要在2024年帮高通投片量产新产品，应该跟台积电2奈米/20A 投片量产时点不相上下；英特尔第一次宣布的1.8奈米/18A要使用改良版的RibbonFET 还有使用ASML最新的高数值孔径High NA EUV。

陆行之指出，英特尔首次宣布在2024年抢下高通20埃米晶圆代工产品，亚马逊的AWS将成为英特尔第一个代工客户使用英特尔先进封装解决方案，这些没有跟英特尔产品竞争的客户使用英特尔代工服务，都在之前的掌握之中，现在就要看英特尔是否能够确实执行了。