《科技》英特尔公布制程规画 与晶圆代工厂竞合

英特尔持续强化技术以利未来用于自家产品及晶圆代工事业之发展。英特尔台湾分公司副总裁汪佳慧表示，英特尔与第三方晶圆厂的合作，都有密切的关系，无论过去或是未来，由于整个市场很大，虽英特尔与第三方晶圆厂虽然有些竞争，但因为市场的派很大，也会一起争取商机。

汪佳慧表示，英特尔与第三方晶圆厂，像是台积电(2330)、联电(2303)、三星、格芯等都有很密切的合作关系，未来英特尔产品的布局，还是会继续与跟第三方的晶圆厂合作。英特尔创新科技总经理谢承儒亦表示，产业界大老提出，半导体的运用无所不在，台湾仍是英特尔重要的伙伴，英特尔发展晶圆代工之际，仍会与台厂合作。

英特尔公司今日首次详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规画，并宣布一系列基础创新，为2025年及其之后的产品注入动力。除了首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，尚有称作PowerVia之业界首款背部供电的方案。英特尔亦强调迅速转往下一世代EUV工具的计画，称之为高数值孔径（High NA）EUV。英特尔有望获得业界首款High NA EUV量产工具。

英特尔今日公布其制程节点全新的命名结构，创造清晰并具备一致性的架构，给予客户更为精确的制程节点认知。随着英特尔成立Intel Foundry Services，这种重要性更胜以往。英特尔执行长基辛格（Pat Gelsinger）表示：今天所揭晓的各种创新，不仅开展了英特尔的产品路线规划，它们对于我们晶圆代工的客户也相当重要。

英特尔技术专家们以新的节点命名方式，详述下列未来制程与效能蓝图规画，以及各节点所具备的创新技术：包括Intel 7：植基于FinFET（鳍式场效电晶体）最佳化，相较Intel 10奈米 SuperFin每瓦效能可提升大约10%～15%。Intel 7将会使用在2021年的Alder Lake用户端产品，以及2022年第一季量产的Sapphire Rapids资料中心产品。

Intel 4：全面使用极紫外光（EUV）微影技术，Intel 4将于2022下半年准备量产，2023年开始出货，client用户端Meteor Lake和资料中心Granite Rapids将率先採用。

Intel 3：进一步汲取FinFET最佳化优势与提升EUV使用比例，Intel 3将于2023下半年准备开始生产。

Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia这2个突破性技术开创埃米（angstrom）时代。Intel 20A预计将于2024年逐步量产。英特尔也公布Qualcomm将採用Intel 20A制程技术。

2025与未来的计画方面，Intel 20A之后，改良自RibbonFET的Intel 18A已进入开发阶段，预计于2025年初问世。英特尔也正在定义、建立与部署下一世代的EUV工具，称之为高数值孔径EUV，并有望获得业界首套量产工具。英特尔正与ASML紧密合作，确保这项业界突破技术能够成功超越当代EUV。

另外，英特尔新的IDM 2.0策略，对于实现摩尔定律优势而言，封装变得越来越重要。英特尔宣布AWS将是第一个採用IFS封装解决方案的客户，并同步提供下列先进封装蓝图规画。