嘉晶董事长徐建华表示,嘉晶今年终端客户需求强劲,全年营收年增可望有20%~25%的年增,嘉晶是专业的磊晶代工厂,可满足客户特殊规格,客制化少量多样订单,嘉晶GaN(氮化镓)的磊晶技术很高,有很多的专利布局,困难度较高。
嘉晶预计未来2~3年完成再投资4000万~5000万美元,在Sic(碳化硅)产能扩增7~8倍,而GaN产能约增加2~2.5倍。
对于法人关切目前嘉晶的营运挑战有那些,徐建华表示,材料取得有一点挑战,但嘉晶对供应商掌握度佳,且採多元化分散策略,不是问题;成本因供需关系,价格略为上扬,6吋Substrate能供应的厂商不多。但这些挑战都不及人力短缺,台湾少子化再加上工程科学的人力不足,未来几能不只是嘉晶有人力不足的问题也会是产业的问题。
嘉晶在GaN的开发,200伏以下已在量产,650伏已和日本及台湾厂商送样,RF也在送样中。嘉晶在化合物半导体磊晶已经达损益两平,扩产会以6吋为主。
氮化镓作为跨时代的第三代半导体材料,相较于传统的硅基元件,在功率密度、稳定性、工作频率、导热性、能源转换都有非常大的提升。
碳化硅的优势则在于宽能隙、击穿电场强度大、电子饱和移动速度快、热传导率快等,故在严苛环境下也能稳定操作,因此氮化镓及碳化硅两种宽能隙材料被视为潜在发展性高的市场。
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