大陆晶片业惨输台韩 猛砸43兆靠这狠招能超车？

全球晶片荒问题未解，各国纷纷砸重金发展半导体产业，大陆也喊出2025半导体自主的目标，然而受到美国贸易、经济等制裁，大陆发展晶片业并不顺利，尤其在先进制程领域更被多位专家评估落后世界水准三至四代。即使如此，有专家点出，第三代半导体将是大陆晶片业能否弯道超车的关键。

综合外媒报导，市场研究机构IDC数据显示，过去三年大陆至少有6个晶片制造专案以失败收场，但全球不能小看大陆拓展半导体技术的决心，他们正透过半导体设备、技术以及生态体系着手，评估十年之后，大陆可以逐步挤进半导体产技术的领先族群中。

此外，第三代半导体也是大陆抢攻的重点，先前外媒曾披露，大陆砸下10兆人民币（约新台币43兆）发展第三代半导体技术，并着重其材料研发与技术，国际半导体产业协会（SEMI）研究指出，2023年大陆可望成为全球功率和化合物半导体晶圆厂产能的领导者。

第三代半导体材料为氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC），比第一代半导体的材料硅（Si）、锗（Ge）第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）拥有更好的物理和化学特性，并具备快速散热、耐高电压、电流的特性。

报导指出，随着未来的高科技产品对高电压、电流半导体的需求不断增加，第三代半导体可望成为接下来的发展重心，而若大陆成为领头羊，可成为其长期发展先进制程的重要动力。