《半导体》三星先进制程卡关 准渔翁台积电淡定

台积电股价12日下探552元的近5月低点后止跌震盪，今（19）日开高上涨1.43％至569元，截至午盘维持约0.7％涨幅。三大法人昨（18）日续卖超1321张，其中外资续卖超2495张，投信及自营商则分别买超1085张及89张。

韩媒Business Post报导，市场研究机构IC Knowledge指出，三星採用环绕闸极（GAA）电晶体架构的首代3奈米制程（3GAE）因遭遇良率问题，预期今年将首先应用于生产自家尚未命名的Exynos处理器，明年才以第二代制程（3GAP）替外部客户代工生产。

而DIGITIMES及外媒wccftech报导指出，三星的3奈米制程试产良率仅达10～20％，4奈米制程虽取得高通Snapdragon 8 Gen 1处理器订单，但该制程良率亦仅30～35％，远逊于台积电相同制程的70％。

wccftech认为，三星4奈米制程良率低于预期，可解释高通为何将Snapdragon 8 Gen 1和Snapdragon 8 Gen 1 Plus转单给台积电。若三星的第二代3奈米制程良率未见明显提升，高通恐不得不将Snapdragon 8 Gen2订单全数转单台积电生产。

台积电总裁魏哲家日前法说时透露，3奈米制程将如期于下半年量产，2奈米制程则预计2024年进入风险试产阶段、2025年量产。台积电3奈米制程仍採用鳍式场效（FinFET）电晶体制程架构，2奈米制程才导入採用GAA电晶体架构。