《半导体》IET-KY第1季每股盈余跳升1.16元 今年乐观

来自于InP等高毛利产品比重增加，推升IET-KY第1季业绩，IET-KY第1季合併营收为2.2亿元，年增44.72%，营业毛利为1亿元，年增1.48倍，合併毛利率为45.52%，年增18.96个百分点，税后盈余为4209.5万元，年增21倍，每股盈余为1.16元，亦优于110年第4季的0.74元增加56.76%。

IET-KY董事长高永中表示，由于物联网、5G持续快速发展，加上疫情之后全球对于云端作业的需求更是加重，因此带动全球高频光纤网路加快增速增覆盖，而5G的基础建设及高频光纤网路中最重要的基本元件就是磷化铟(InP)的异质结双极电晶体(HBT)、晶片光接收器(PIN)和雪崩式光接收器(APD)，因此在市场需求强劲下，这三项高毛利产品带动英特磊第1季获利较去年同期大幅成长。

在氮化镓(GaN)部分，高掺杂氮化镓二次生长也是未来公司重要的成长动能；高永中表示，所谓二次生长(regrowth)是指在GaN磊晶元件上再以MBE技术生长高掺磊晶可有效提升产品效能；目前主要应用在国防、通讯及5G相关射频(RF) GaN HEMT磊晶片，其优势在于磊晶品质佳且价格相对低，可大幅为客户降低成本；新的趋势是八英寸GaN/Si也开始考虑使用这种二次生长，市场需求相当乐观。

根据市调公司GII统计，全球云端资料库及DBaaS的市场规模预测将从2020年的120亿美元，到2025年达到248亿美元，在预测期间中预计将以15.7%的年复合成长率成长。

此外，5G基建部分也在各国政府积极推广的状态下，研究机构Gartner 2020年就已预估市场规模已达80亿美元，且呈现逐年成长的态势。

从IET-KY目前在手订单以及市场需求量来看，不仅高毛利产品比重增加，氮化镓二次生长也相当受到客户欢迎，IET-KY表示，下半年有增加机台的打算，今年营运成长可期。