传华为将展示新型3D DRAM成果 与中国中科院合作开发

据外媒报导，华为公司将于积体电路领域顶级会议－VLSI Symposium 2022（6月12日～17日在夏威夷举行）上，发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术，进行各种有关记忆体的演示。

报导称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）构型电晶体，具有出色的温度稳定性和可靠性。

除华为之外，日媒还表示，IBM、三星、英特尔、Meta、史丹佛大学、乔治亚理工学院等都将提出存储领域的新突破。

IT之家报导支出，华为此前已在存储领域进行深度研究，此前就表示要针对数据存储领域关键技术进行突破。

据此前报导，在去年举办的IEDM 2021上，中科院微电子所李泠研究员团队联合华为／海思团队，首次提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆迭，透过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了密度优势，有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。