近期市场频传三星电子即将宣布量产3奈米GAA制程技术,目前传将于明(30日)宣布正式量产。有消息人士透露客户名单,除了一家大陆加密货币挖矿机晶片厂外,连此前传转单台积电的高通,也有下订3奈米晶片,只是会视情况投片。
BusinessKorea报导,三星电子将于30日正式宣布量产GAA技术的3奈米制程;GAA电晶体结构优于目前的FinFET结构,能够减少晶片尺寸和功耗。此前三星曾称,与FinFET相比,GAA技术晶片面积可减少45%,功耗降低50%,以及效能提升30%。
若确有此事,三星本周如期宣布量产,则在3奈米进度上抢先台积电和英特尔,后两者分别计画于今年下半年和明年下半年开始量产3奈米晶片。
报导称,今年稍早,一些业界观察人士担心三星可能会因良率问题,而推迟3奈米量产时程,「但这些担忧被证明是毫无根据」。
TheElec援引消息人士透露,已有客户向三星订购3奈米晶圆代工,第一个客户是大陆加密货币挖矿机晶片厂上海磐硅半导体技术有限公司;此外,三星的大客户高通也下订3奈米晶片,但会视情况投片。
报导指出,先前传出高通因为三星良率低于预期,将3奈米制程转单给台积电。如果台积电3奈米也面临同样问题,高通可能会将三星作为备案。不过三星以GAA技术应用3奈米制程或许很有意义,但能否在明年将该制程应用在智慧型手机用行动处理器上,仍有待观察。
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