《国际产业》独步全球 三星电子3奈米如期量产

由于3奈米晶片是以GAA架构为主，三星曾表示，与现有FinFET技术的5奈米相比，所需面积最多可减少45%。同时，性能可再提升30%，更能降低多达50%功耗。

从2021年第3季以来，韩国这家全球最大记忆体产品制造商，已陆续跟包括德国科技大厂西门子，以及全球前3大硅智财业者，美国的新思科技(Synopsys)等，一些同属三星先进制程晶圆代工生态系统(SAFE)的晶圆代工客户，提供晶片架构设计服务，与台积电互别苗头意味浓厚。

据悉，全球最大晶圆代工的台积电，计画在2022下半年开始量产3奈米晶片，2奈米则预定在2025年。根据集邦科技(TrendForce)统计，2022年首季，全球晶圆代工市占率，台积电以过半数53.5%傲视群雄，三星则以16.3%在后苦苦相追，并誓言2030年赶上台积电。

至于更先进的2奈米半导体，三星表示，目前尚处于早期开发阶段，计划2025年实现量产目标。5月时，三星指出还要加强晶片业务投资，且把当业界第一为使命。同时，也会在晶圆代工上拉高市占率，计画在韩国打造一个无晶圆厂的生态环境，为全球IC设计业者服务。

Daol投资证券直言，与记忆体晶片只有两种产品DRAM以及NAND不同，高达数千种的非记忆体方面，产品种类以及变化太多，这两者无法相比。因为，记忆体比较单纯，提高效能以及增加量产的难度较低。

根据未来(Mirae)资产证券数据，三星在2017年至2023年期间，资本支出的年复合成长率(CAGR)估计约为7.9%，台积电则是高达30.4%。业内认为，三星要超越台积电，除了不能吝于投资未来外，产品良率也得同步提升才行。