《科技》业界领先 美光全球首款232层NAND出货

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：「美光的232层NAND作为储存装置创新的分水岭，首次证明了我们具有将3D NAND扩展到200层以上的制造能力。这项开创性的技术涵盖诸多层面的创新，包括建立高深宽比结构的先进制程能力、新型材料的开发，以及针对美光独步业界的176层NAND技术所进行的设计改进。」

随着全球数据量持续攀升，储存容量和性能的提升势在必行，同时，我们的客户也必须减少能源消耗以满足更严格的环境永续发展要求。美光的232层NAND技术不仅具备必要的高性能储存，可以支援资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。该技术节点达到了现今业界最快的NAND I/O速度：2.4GB/s，将满足以数据为中心的工作负载(如人工智慧、机器学习、非结构化资料库和实时分析、云端运算等)的低延迟和高吞吐量需求，比美光176层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快50%。与前一代产品相比，美光232层NAND的每晶粒写入频宽提高100%，读取频宽亦增加超过75%，这些优势将进一步强化SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能源效率。

此外，美光232层NAND引进全球首款六平面(6-Plane)TLC生产型NAND，是所有TLC快闪记忆体中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。杰出的I/O速度和读写延迟表现，结合美光的六平面架构的结合，将实现许多配置的最佳资料传输能力。此架构可以减少读写命令之间的衝突，进而改善系统级服务品质。

美光的232层NAND也是首款在生产中支援NV-LPDDR4的产品，此低电压介面与过去的I/O介面相比可节省每位元传输逾30%，因此，232层NAND解决方案得以为在提高性能和低功耗之间力求平衡的行动应用、资料中心、智慧边缘的部署提供理想的后援。该介面亦向下相容，支援旧款控制器和系统。

232层NAND的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)，其单位储存密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100%。232层NAND并採用比美光前几代产品小28%的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm的封装使其成为目前最小的高密度NAND，而在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主机板空间。

美光成功将TLC NAND在业界最小的封装尺寸上集结最佳性能和最高晶圆密度等特色优势，次世代NAND使各市场的创新成为可能，美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana表示：「美光在NAND层数方面连续取得了业界第一的进展，进而嘉惠行动装置电池使用时间、打造更精巧的行动装置储存空间、更强的云端运算性能以及更快的人工智慧模型训练等优势，巩固我们的技术领先地位，美光的232层NAND将是支持各产业数位转型的端到端储存创新的全新基础和标准。」

美光的232层NAND目前正在新加坡晶圆厂量产，会优先以封装颗粒形式及透过美光Crucial SSD消费性产品系列向客户出货，并于日后发布更多产品和供货资讯。美光位于新加坡的NAND卓越制造中心因其在智慧制造领域杰出的营运实力而获得世界经济论坛全球灯塔网络(Global Lighthouse Network)的认证。先进技术如人工智慧工具、智慧控制系统和预测能力，皆有助于美光加速产品开发和提升品质，进而加快良率提升和产品上市时间。