谢再居表示,5、6月时已感受到驱动IC及CMOS影像感测器(CIS)在手机、PC等应用有反转趋势,目前看到客户第四季仍将减产因应。所幸车用、工控、终端通信系统应用的电源管理晶片(PMIC)、特殊型记忆体、功率元件,因客户均为欧美日IDM厂,需求稳定。

谢再居指出,第四季除了驱动IC及CIS产线仍须调整,目前也感受到消费型DRAM因客户库存逐步堆高,有必要减产因应。虽然力积电第四季整体产出不会减少,但考量适逢欧美年终长假影响,预期第四季营收将受影响、仍为下行趋势,希望下滑幅度不要超过第三季。

虽然第四季消费型DRAM产能将减少,但谢再居指出,公司因应产能閒置损失,将考量投入部分标准型DRAM生产,藉此提补产能閒置的损失风险,先建立部分库存,等待适当时机再出货。标准型DRAM品第三季占公司营收仅5~6%。

长约(LTA)方面,谢再居表示,目前均是驱动IC客户出现违约,已与客户讨论延长合约半年至1年,提供较充分时间消化预订投片量。同时,指出公司前三季获利已超越去年全年,前10月营收亦可望超越去年全年营收,认为目前股价本益比实在太低。

谢再居透露,力积电新研发专案约50个,目前处于试产阶段,有望在明年导入量产、下半年有望贡献月产能25%的新产品线,包括车用微控制器(MCU)及PMIC、5G射频晶片(RFIC)、新型Flash及新应用DRAM、背照式(BSI)CIS等,希望明年能降低对驱动IC依赖程度。

铜锣P5新厂方面,由于缺工状况持续、部分重要机台交期严重延误,谢再居预期进行中的无尘室与机电工程亦将延误2~3个月,使预订试产时间自明年初递延至第三季底、第四季初,初步量产规模为8500片12吋晶圆产能,至2024年下半年再提升至1.8~1.9万片。

因应兴建进度及关键机台交货递延,并考量市况变化砍掉部分产能规画,力积电将今年资本支出从15亿美元下修8.5亿美元、明年估落于15~25亿美元。谢再居表示,铜锣新厂明年营运费用将降至约20多亿元,以目前市况来看,进度递延对公司财务实为正向影响。

对于美国商务部的最新半导体限制措施,谢再居表示,高速运算(HPC)CPU不在公司营运范畴,对营运影响不大,较在意的是商务部扩大实体清单企业至28家,其中部分公司可能为客户的客户,目前客户正在评估未来可能影响。

不过,整体来说,谢再居指出,新禁令抑制中国大陆厂商扩张速度,并加速产业链分流。力积电的部分新产品线多是欧美日客户,未来相关客户转单台厂的机会可望进一步提高,因此对新禁令造成的影响较正面看待。

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