恩智浦表示,TEF82xx基于恩智浦久经验证的RFCMOS技术节点和生产设置,在前一代基础上进行显着提升。射频效能提升一倍以上,包括相位杂讯降低+6 dB、相位杂讯为-95 dBc/Hz时输出功率为14 dBm、接收器杂讯系数为11.5 dB。TEF82xx使用晶片外露的超紧凑eWLB封装,即使在较高的环境温度,也可实现出色的传热效果,以满足高效能雷达应用苛刻的耐热条件。线性调频脉衝(chirp)返回时间超短,只有4μs,可缩短工作时间,进而降低感测器功耗,允许更紧凑地放置线性调频脉衝,增强速度估算能力。

透过使用汽车级雷达软体开发套件(RSDK)提供的全面雷达演算法库,开发人员可轻松构建并最佳化应用,无需花时间手动调整加速器软体。此外,透过运用由编译器、开发环境、MCAL以及免费和商业RTOS支援组成的恩智浦大型生态系统,工程师可获取所需资源,加快开发速度。

恩智浦半导体副总裁暨ADAS总经理Steffen Spannagel表示,高效能成像雷达应用需要4个恩智浦TEF82xx雷达收发器级联及高效能S32R45处理器,协助OEM以亚度方位角和俯仰角解析度实现300m甚至更远距离的感测。恩智浦已有领先客户以TEF82xx为基础,进入最终雷达模组认证阶段,并计画于今年底之前开始量产(SOP),数家汽车OEM计画于2023年、2024年推出相应车型。

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