俄罗斯媒体先前爆料,从中国厂商拿到的晶片故障率达4成,是以前2%的20倍,代表几乎一半的晶片完全不能用。俄罗斯科学院则喊话要迈向半导体自主道路,宣称自行研发的曝光机将问世,2028年将可推进7奈米制程,而且可以击败荷兰半导体设备大厂艾司摩尔(ASML)同类产品。
俄罗斯持续发展本土半导体制造业,但美国及西方各国联合制裁,台湾也跟进断供,导致俄罗斯晶片短缺,专注智慧财产授权的安谋(ARM)公司,也无法将他们的技术授权给当地的晶片设计师。但俄罗斯似乎一点也不担心,根据知名硬体网站《Tom's Hardware》报导,俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构(Novgorod Strategy Development)宣称2028年开发出可以生产7奈米晶片的曝光机,而且可击败ASML同类产品,即ASML Twinscan NXT:2000i DUV。
俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构宣称,俄罗斯科学院旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜,生产出7奈米晶片。报导指出,俄罗斯政府为此推出一项国家计划,积极培养当地半导体人才。
俄罗斯科学院奈米结构研究所副所长Nikolai Chkhalo则说,近20年来ASML致力于发展EUV 曝光机,目标是让顶尖半导体厂商保持极高的生产效率,但俄罗斯并不需要,只要根据国内的需求向前推进即可。
但报导认为,俄罗斯的想法似乎太过天真,直指晶圆厂并非光靠曝光机就可生产出晶片,还需要许多设备,但俄罗斯并不生产这些设备。推测俄罗斯想在6年内研发出可生产7奈米晶片的曝光机,实际可行性并不高。
俄罗斯商业媒体工商日报(Kommersant)先前报导,在俄乌战争发生后,从中国厂商运往俄罗斯的半导体,故障率高达4成,比战争前的2%还要多出许多,主因在于俄罗斯厂商开始从非正式供应商,或向黑市里的经销商购买晶片,而这些管道通常没有品质保证。
俄罗斯决定实行晶片自主计画,先前喊出2030年投资约3.19兆卢布,目标是2022年底前量产国产90奈米制程晶片,以及2030年底量产国产28奈米制程晶片,但外界普遍认为要实现目标恐非常困难。
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