《产业创新条例》第10之2条修正草案,被号称台版晶片法案,行政院周四将排入院会议程审议,预计拍板定案后明年元旦上路,相关规定期限至2029年12月31日止。
草案中,明订三大适用要件,要求研发费用及研发密度达一定规模外,有效税率也须达一定比率。抵减率部分,前瞻研发支出当年度抵减率25%;购置先进设备当年度抵减率5%,且「无投资抵减支出金额上限」。官员指出,两抵减各自上限不得超过当年度营所税30%,两项合计不得超过50%。
台版晶片法案行政院将排入院会议程审议,针对台版该法,日月光投控(3711)日月光半导体执行长吴田玉表示,在全球竞争日趋严峻的情况下,我们欢迎政府对台湾重点产业在税制上提出与时俱进的修法,继续维护台湾半导体生态系统的前瞻研发能量及长期竞争优势。未来十年,半导体产业大环境会有更大的挑战,产业在全球各国高额补助及多重管制之下,竞争将更为艰难,研发及先进科技对台湾下世代竞争力及商机至为重要,此次产创条例的修法,业界乐观其成,实质影响,有待法规细节及配套措施。
《产业创新条例》第10之2条修正草案,被号称台版晶片法案,行政院周四将排入院会议程审议,预计拍板定案后明年元旦上路,相关规定期限至2029年12月31日止。
草案中,明订三大适用要件,要求研发费用及研发密度达一定规模外,有效税率也须达一定比率。抵减率部分,前瞻研发支出当年度抵减率25%;购置先进设备当年度抵减率5%,且「无投资抵减支出金额上限」。官员指出,两抵减各自上限不得超过当年度营所税30%,两项合计不得超过50%。
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