美国商务部10月初宣布新一轮半导体技术销售中国禁令，中企长江存储128层以上的3D NAND设备遭断供，但根据加拿大半导体分析与IP服务机构TechInsights报告，长江存储首款232层3D NAND Flash产品已经成功量产，是首个进入零售市场的超过200层堆迭3D NAND Flash产品，领先于三星、美光、SK海力士等大厂。
该份报告指出，长江存储已经在市场上推出首款200层以上3D NAND Flash，品名为 X3-9070，已被海康威视CC700 2TB SSD固态硬碟採用。
根据长江存储介绍，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的输入/输出速度，其传输速率达2400 MT/s，与上一代产品相比性能提高50%。此外，X3-9070受惠于Xtacking 3.0架构，是该公司有史以来储存密度最高的快闪记忆体。
值得关注的是，今年包括美光、SK 海力士和三星等，都相继推出200层堆迭3D NAND Flash快闪记忆体解决方案，美光最早在5月就宣布推出业界首款232层产品，预计年底生产。 SK海力士8月也公布成功研发首款238层堆迭 NAND Flash快闪记忆体，并送样合作伙伴。三星则在1月宣布始大规模生产第八代V-NAND晶片，堆迭层数达236层。
不过美方禁令仍对长江存储造成衝击，外媒批露，苹果原本想向长江存储购买128层3D NAND快闪记忆体晶片，但此计画目前已生变，苹果转而向韩企三星电子购买记忆晶片，未来三星将承担高达40%的iPhone记忆体出货量。
发表意见
中时新闻网对留言系统使用者发布的文字、图片或檔案保有片面修改或移除的权利。当使用者使用本网站留言服务时，表示已详细阅读并完全了解，且同意配合下述规定：
违反上述规定者，中时新闻网有权删除留言，或者直接封锁帐号！请使用者在发言前，务必先阅读留言板规则，谢谢配合。