路透社报导，此举与对手在需求下降和晶片过剩的情况下缩减投资形成鲜明对比。
分析师表示，三星坚持投资计画可能有助其抢占记忆体晶片市场占有率，并在需求復甦时支撑股价。
「韩国经济新闻」（Korea Economic Daily）引述不具名业界消息人士报导，三星计划扩建其位于韩国平泽市的P3工厂，增加12吋DRAM产能。
报导还说，三星还将扩建厂房，增产4奈米晶片，这将根据与客户所订的代工合约进行。
今年开始生产储存型快闪记忆体（NAND Flash）的P3，是三星最大的晶片制造工厂。
「韩国经济新闻」报导还说，三星打算明年至少增加10台极紫外光微影（EUV）机台。
三星婉拒发表评论。（译者：郑诗韵/核稿：严思祺）1111226
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