台积电小心！韩首份10年晶片制霸蓝图 超狂野心曝光

为了挽救南韩晶片制造业，根据外媒报导，南韩当局昨日公布首份《十年晶片制霸蓝图》，蓝图中概述下一代记忆体、逻辑晶片以及先进封装3个领域的技术进步目标。

根据THE INVESTOR报导，南韩工信部表示，将支持半导体业生产更快、更节能及更高容量的晶片，以保持产业在全球主导地位，并使其在先进逻辑晶片领域获得竞争优势。

该蓝图详细阐述当局4月初公布的晶片战略细节，南韩政府当时表示将投资5635亿韩元用于晶片行业的研发，来支持培养人才、基础设施和技术发展。

蓝图表明，南韩旨在开发下一代记忆体晶片，涉及先进记忆体技术包括铁电随机存取记忆体(Ferroelectric RAM，FeRAM)、磁阻式随机存取记忆体(magnetic RAM，MRAM)、相变化记忆体(phase-change RAM，PCM)等。

在研发蓝图下，南韩未来10年制定了在人工智慧(AI)、6G、电力和汽车领域的晶片设计原创技术，以及超微晶片和先进封装的原创技术目标。