三星霸气宣示晶片计画：3年内量产2奈米 5年内超越台积电

韩国三星电子在当地时间19日于德国慕尼黑举办「三星代工论坛2023」，霸气十足地公布了晶片制造的先进工艺路线图和代工战略，扬言将在3年内量产2奈米先进制程晶片，同时在5年超越台积电。

据《快科技》报导，在这次论坛上，三星电子也展示了从最先进的2奈米工艺到8英寸传统工艺一系列汽车行业定制解决方案。

三星代工事业部总裁崔时荣（Siyoung Choi）表示：「目前我们正在加大投入准备工作，为客户提供功率半导体、微电脑、先进的自动驾驶人工智慧晶片等多种解决方案。」

三星强调，该公司将在2026年完成车用2nm晶片的量产；同时还透露了其开发业界首款5nm eMRAM下一代储存半导体计画。

报导说，自2019年成为业内首家量产基于28nm工艺eMRAM的公司以来，三星计画2024年量产14nm车用eMRAM，然后在2026年和2027年量产8nm和5nm车用eMRAM。

三星官方指出，8nm eMRAM与14nm相比，预计集成度将提高30%，速度提高33%。此外三星还计画到2025年将目前的130mm车用BCD工艺提升至90nm，与130nm相比，90nm的BCD工艺将使晶片面积减少20%。

根据此前DigiTimes的报导，三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）博士曾公开表示，要在未来5年内超越台积电和其它行业巨头。

据了解，台积电总裁魏哲家在近日法人说明会上披露，台积电可望在2025年量产2nm工艺晶片。