《半导体》联电Q1毛利率估下探30％ 今年资本支出逆增1成

联电去年第四季资本支出约6.57亿美元，季增15.3％、年减34.2％，全年资本支出约30亿美元、年增约11.1％。展望2024年，联电资本支出预算为33亿美元、年增10％，其中95％将用于12吋晶圆厂、5％用于8吋晶圆厂。

联电共同总经理王石表示，联电将持续透过多元化的制造基地及差异化的12吋特殊制程，与业界领先企业合作开发下世代产品，在竞争激烈的市场和持续升温的地缘政治紧张局势中逆风前进。

联电去年第四季晶圆出货量约77.5万片12吋约当晶圆，季减2.5％、年减21.2％，产能约120.4万片，季增1.9％、年增6.5％，稼动率自67％微降至66％，美元平均售价（ASP）持平。随着12A P6厂产能持续开出，首季产能估增至121.2万片，季增0.7％、年增8.1％。

联电日前宣布与英特尔携手开发12奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程，将于英特尔美国亚利桑那州OTF的12、22和32厂开发制造，预计于2027年投产。王石表示，此次合作为联电追求具成本效益的产能扩张和技术节点升级策略中的重要一环，延续对客户的一贯承诺。

王石指出，与英特尔的合作不仅能协助客户顺利升级到新关键技术节点，同时也将受惠扩展北美地区产能带来的供应链韧性。联电期待此次12奈米FinFET制程的策略合作，能利用双方的互补优势，以扩大联电潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。