三星和SK海力士目标是10奈米制程以下的 DRAM 应用 4F2 技术。相关人士认为，採用VG或3D DRAM制程设计，可将EUV制程成本降一半。
SK海力士计划开发4F2（方形）DRAM 降低成本
根据外电报导，SK海力士计划开发4F2（方形）DRAM，与竞争对手三星十分相似。这是一种经过大量研究的单元阵列结构，其中电晶体以垂直方式堆迭，即所谓的「3D DRAM」。
根据外电报导，SK海力士计划开发4F2（方形）DRAM，与竞争对手三星十分相似。这是一种经过大量研究的单元阵列结构，其中电晶体以垂直方式堆迭，即所谓的「3D DRAM」。
三星和SK海力士目标是10奈米制程以下的 DRAM 应用 4F2 技术。相关人士认为，採用VG或3D DRAM制程设计，可将EUV制程成本降一半。
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