全球半导体产值到2030年可望将达1兆美元,而SEMI预估,AI驱动的半导体产业成长,将占五成以上。为了持续使晶片微缩成本更具效益,推动摩尔定律的进展。
ASML High NA EUV产品管理副总裁Greet Storms表示,High NA EUV微影技术透过採用新的光学元件,将数值孔径(numerical aperture)从0.33提升至0.55,提供更高的成像解析度,临界尺寸(critical dimension, CD)可达到8nm,让晶片制造商可以在同样单位面积的晶片上实现较现今高出2.9倍的电晶体密度;且成像对比度较0.33 NA EUV提 40%,可大幅降低成像缺陷。
此外,在先进制程晶片制造中导入EUV技术可简化制程工序、减少光罩数量,达到产能和良率提升,进而降低生产每片晶圆的用电量。ASML预估,若在先进制程中导入包括EUV和High NA EUV微影系统,到2029年,使用ASML微影技术生产每一片晶圆使用的100度电,将为整体制程节省200度电。
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