陆曝光机能生产8奈米晶片？专家爆内幕：接近ASML这产品

美国晶片管制反而激励大陆技术突破，大陆工信部声称已研发出深紫外光曝光机（DUV），分辨率小于65奈米、套刻精度小于8奈米，部分人士解读为可生产8奈米及以下晶片，但科技产业专家「曲博」曲建仲表示，大陆该款曝光机的制程能力大约落在55奈米到65奈米之间，技术介于荷商ASML的XT1460K与XT1150C曝光机。

曲建仲在《曲博科技教室》影片中表示，大陆国产曝光机的套刻精度，也就是所谓的迭对误差小于等于8奈米，代表前一层光罩和后一层光罩的误差小于等于8奈米，经由光学邻近修正，有机会把解析度提高到55奈米，判断制程能力大约落在55奈米到65奈米之间。

曲建仲强调，直接把套刻精度作为光刻机制造制成的节点是弄混了，虽然大陆新一代曝光机的65奈米分辨率，如果採用多重曝光可能做到更先进的制程节点，但受限套刻精度带来的误差迭加放大，重复曝光多次时，误差也随之放大。

曲建仲续指，若大陆国产曝光机要制作8奈米制程，需要自对准八重曝光（SAOP），要重复曝光3次，才能达到8奈米的结构，但几何形状会受到严重扭曲，因此在制作上非常困难。

曲建仲并以ASML的曝光机参数对照，大陆最新国产曝光机分辨率小于65奈米，接近ASML的XT1460K曝光机，但ASML该款曝光机的套刻精度仅3.5到5奈米，远比大陆最新的国产光刻机先进；ASML更旧的曝光机XT1150C，分辨率则为90奈米，迭对误差12到20奈米，判断大陆该款曝光机的规格介于ASML的XT1460K与XT1150C。