《科技》记忆体产业明年资本支出略保守 位元产出成长挹注有限

DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，年增率达14%。NAND Flash部分，资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%。

在DRAM各供应商中，Micron美光被认为是最积极的厂商，其2026年资本支出预计达135亿美元，年增23%，主要专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置。SK hynix海力士的增幅也十分显着，2026年预计为205亿美元，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张。Samsung三星预计投入200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。

TrendForce指出，目前在无尘室空间也有不足供应的情况，检视所有DRAM供应商的产能空间，仅有Samsung与SK hynix仍有小幅扩大产线的机会，而Micron则需要等待其美?ID1新厂落成，最快2027年才能有产出，因此任何后续上修的资本支出对2026的位元产出贡献皆非常有限。

而在NAND Flash各供应商中，Kioxia/SanDisk和YMTC因没有DRAM业务，被认为是最积极扩大产能以巩固地位的厂商。Kioxia/SanDisk预计投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发。Micron美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能并专注于G9制程和enterprise SSD业务，预计资本支出年增幅达63%。相较之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm则将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DRAM领域。

TrendForce分析，此次NAND Flash产业需求的爆发，主要受AI对储存容量需求的急速攀升，以及HDD供应不足导致云端服务供应商(CSP)转单所带动。此现象属于结构性短缺，而非短暂的市场波动。

然而，过去数年产业经歷多次景气循环，使部分厂商在资本支出与扩产策略上趋于保守。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩产，将导致供应位元增幅有限，TrendForce认为，NAND Flash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年。