国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术

为强化我国半导体产业优势，国家实验研究院台湾半导体研究中心（国研院半导体中心）与台积电合作开发「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」，于2023年12月全球顶尖电子元件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）发表，并获选为Highlight Paper，成为全世界极少数成功开发出高密度、高容量之独立式STT-MRAM制作技术的团队。