日韩纷争 记忆体现货涨不停

日本在7月初开始管控向韩国出口3种生产半导体及面板所需关键材料，造成记忆体模组厂出现提高报价状况。随着近期日本及韩国之间协商毫无共识，日本经产省又在安全保障贸易管理中将韩国列为最不能信赖国家，日韩贸易纷争持续恶化，在预期韩国记忆体厂恐将开始降低产能利用率情况下，DRAM及NAND Flash现货价平均上涨约1成，部份货源较少产品更一口气大涨逾2成。

■南亚科、群联等受惠

随着DRAM及NAND Flash现货价持续上涨，7月合约价也出现跌幅明显缩小或持平止跌现象。由于第三季是传统旺季，法人看好南亚科、华邦电、群联等业者本季营收及获利将明显优于第二季。

日本对韩国发布关键面板及半导体材料限制出口禁令后，韩国记忆体大厂三星电子及SK海力士手中的光阻剂及高纯度氟氢酸库存水位急降，两家业者虽然积极向外寻求新供应商，但至今仍无法取得足够材料货源。同时，韩国业者虽表示已向日本供应商海外工厂调货，不过日本官方说明若是最终使用者是韩国业者仍受到出口禁令管制。

目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长且需确定最终使用者一定要是半导体厂，所以短期结构性供需反转的可能性低。但业者表示，光阻剂及高纯度氟氢酸保存期限短，日本将申请时间大幅拉长，且每次採购都需申请，会导致韩国业者出现材料供给缺口，造成晶圆厂产能利用率明显下滑，将可加速DRAM及NAND Flash库存去化速度。

因为日韩纷争短期内无法达成共识，加上传统出货旺季到来，模组厂顺利调涨现货价格。根据集邦报价，8Gb DDR4现货均价已涨至3.7美元左右，最高成交价达4.0美元，7月以来涨幅约10％，供货较少的4Gb DDR3已涨至1.7美元，7月以来涨幅逾15％。

NAND Flash现货价涨幅更大，因为日本东芝记忆体四日市厂区发生停电后导致第三季产出大幅减少，且智慧型手机最高搭载容量今年拉高至512GB，日韩纷争可能导致韩系业者供应量下滑，NAND晶圆（wafer）现货价因此大涨，512Gb TLC晶片价格涨至3.9美元，供货量少的128Gb TLC晶片价格更大涨33％达1.6美元。

■业界预估至少涨到月底

模组业者表示，韩国三星及SK海力士的库存已开始下滑，DRAM及NAND Flash现货价预期至少会涨到月底，7月涨幅预估会达2～3成，若日韩纷争延续到日本参议院大选后仍然未解，8月现货价格续涨机率大增，合约价有机会反转开始上涨。法人认为价格上涨有助于群联、南亚科、华邦电等记忆体厂第三季营运表现。