富鼎衝刺新品 营运添动能

MOSFET厂富鼎（8261）13日举行年度股东常会，并顺利通过各项议案，展望后续营运表现，富鼎指出，将持续受惠于功率半导体元件供给吃紧，公司将会以既有产品线，加上新一代高压制程600／650V的MOSFET等新品，扩大富鼎在MOSFET市场占有率。

此外，在第三代半导体布局也传出好消息，富鼎表示，碳化硅（SiC）萧特基二极体及绝缘栅双极电晶体（IGBT）等产品已经通过可靠验证，后续将会持续开发新品。

富鼎13日召开年度股东常会，会中顺利通过配发现金股利6元，以13日收盘价105.5元计算，现金殖利率具备5.69％水准，另外会中亦通过授权董事会办理每股10元的私募案，预计发行不超过3.5万张，不过目前尚无特定应募人，若有特定应募人将会依法规办理并公告。

根据富鼎年报显示，公司受惠新冠肺炎带起的远距办公、5G及物联网等趋势，使富鼎2021年获利大幅增加，每股净利缴出8.03元的歷史新高成绩单，进入2022年后，公司将会持续以MOSFET、IGBT等功率半导体元件抢攻PC、5G及人工智慧（AI）等终端市场。

其中，公司已经成功开发出应用在CPU／GPU等运算核心电压同步整流IC所需MOSFET，且在2021年通过客户验证，且针对电源供应器二次侧同步整流的60～100V MOSFET产品顺利导入客户电源设计，另外新一代600／650V的高压制程MOSFET攻入电源供应器ODM大厂，并已经进入量产阶段，可望成为富鼎后续抢攻市占率的新利器。

至于第三代半导体产品线，富鼎开发的600V IGBT已经完成开发并通过可靠性验证，未来将会衝刺工具机及空调变压器（Inverter）市场；至于在SiC萧特基二极体也同步完成开发及通过可靠性验证，将锁定电源供应器市场推广，且后续将进行新产品研发。

富鼎公告2022年3月合併营收达4.04亿元、月增14.9％、年增5.5％，累计第一季合併营收为11.32亿元、年成长10.0％，改写单季新高。法人看好，由于MOSFET市况供给吃紧将延续到下半年，因此将有助于获得晶圆代工产能支援的富鼎持续衝刺出货动能，后续营运有望再度改写单季新高。