G2再掀科技战 台积扫到颱风尾

美对中国半导体产业围堵力道扩大，重创费半指数逾6％，台积电ADR一度大跌6％以上，台积电将于13日召开法说会，若释出超过预期的利空，将成台股不可承受之重。

集邦认为，无论中系或美系IC公司，目前高效能运算（HPC）相关晶片，多半委由台积电进行制造，制程主流为7奈米及5奈米，部分为12奈米。未来不论是美系厂无法再出口至中国市场，或中系厂无法进行开案及量产投片，都为台积电的7奈米及5奈米制程未来的订单状况，带来负面影响。

根据集邦调查，此次更新的限制范畴主要在逻辑IC，包括鳍式场效电晶体（FinFET）或环绕闸极电晶体（GAAFET）架构的16／14奈米或更先进制程、DRAM的18奈米或更先进制程、NAND Flash的128层或更高层数产品等三个部分。

集邦指出，儘管中系晶圆厂积极与中国本土、欧系及日系设备商合作，企图发展非美系产线，并已转以发展28奈米及以上的制程为主，但该禁令形同完全扼杀中国发展14／16奈米及以下先进制程扩产及发展的可能性，且28奈米及以上的制程扩产亦得经过美国主管机关旷日废时的审查流程。

集邦指出，美对中国记忆体发展採取较严格的限制措施，且该法案亦影响三星西安厂、SK海力士旗下Solidigm大连厂的NAND Flash制程转进规划。