STDRIVE101内建三个用于驱动外部N沟道MOSFET的半桥驱动器，每个驱动器的最大拉电流和灌电流均为600mA。晶片内部整合自举二极体和50mA 12V低压降（Low-Dropout，LDO）稳压器，可随时为外部元件供电，并最大程度地减少物料清单成本。整合的比较器配合外部电阻可以侦测电流，MOSFET漏源电压监控功能可以实现短路保护。
基本安全功能包括内部产生的防止交叉导通的死区时间、过热关机功能，以及防止MOSFET在低效率或危险环境下运作的高低边欠压锁定（Under-Voltage Lockout，UVLO）。
DT／MODE脚位选择让设计人员可以决定使用单独高边和低边讯号，或是单一PWM讯号控制开关二极体，并启用输入。待机脚位可让STDRIVE101进入LDO稳压器关闭的低功耗模式，在閒置时最大限度节省电能。
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