两个650V常关型GaN电晶体的导通电阻（RDS(on)）分别为150mΩ和225mΩ，每个电晶体皆整合一个优化的闸极驱动器，让GaN电晶体如普通硅元件一般便捷易用。其整合了先进驱动功能和GaN既有的性能优势，MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式转换器等拓扑电路之高效能、小体积和轻量化优势。
MasterGaN功率系统级封装（SiP）系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率电晶体（High-Electron-Mobility Transis，HEMT）和配套的高压闸极驱动器，并内建了所有必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔感测器和DSP、FPGA或微控制器等外部装置与MasterGaN元件连线。输入相容3.3V-15V逻辑讯号，有助于简化电路设计和物料清单，并可使用更小的电路板，简化产品安装。这种整合方案有助于提升转接器和快充充电器的功率密度。
GaN技术正在推动USB-PD转接器和智慧型手机充电器朝快充发展。意法半导体的MasterGaN元件可让这些充电器体积缩小高达80％，同时减轻70％的重量，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。
内建保护功能包括高低边欠压锁定（Under-Voltage Lockout，UVLO）、闸极驱动器互锁、专用关闭脚位和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用而优化的封装，高低压焊盘之间之安全距离超过2mm。
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