汉磊策略将聚焦GaN、SiC、车用MOSFET、二极体、静电保护的TVS等5类化合物半导体相关元件,汉磊也是目前台湾少数已量产碳化硅(SiC)的代工厂。展望4Q,公司预估营收季增个位数,全年营收年增达35%。
汉磊总经理刘灿文指出,公司将计画持续扩产并聚焦化合物半导体等技术平台,目标第4季毛利率持续向上,同时确定扩产计画未来2-3年投资8000万至1亿美元,主要用于6吋的SiC产能增加5-7倍,由于长期扩产需求所需资金,汉磊也正规画募资计画后续待定案后对外公布。
汉磊统计,目前SiC产能以4吋计算每月1000-1200片,6吋大约400片,两者合计换算约6吋1000片每月。汉磊董事长徐建华表示,希望后续扩充产能与新增客户时採LTA长约合作,过去长约占比约35-40%,未来将视需求调整。6吋GaN产能约千片,目标明年月产能提升至2000片。
徐建华指出,今年对公司不论是汉磊或是嘉晶而言都是第三代半导体应用的起飞元年,其中太阳光变频器今年需求上升预期未来延续将逐步拉高SiC採用,此外电动车也持续带动相关需求,期许随着未来新产能扩充开出,目标挹注营运持续成长。
刘灿文指出,受惠市场需求与产品组合改善,带动今年前三季毛利率持续提升,预期第4季将能持续往上。3Q汉磊第三代半导体相关营收占比18%,持续聚焦相关技术之下,目标第4季营收占比大于20%。同时车规MOSFET在今年第2季已有贡献。
今年在市场需求稳健下,汉磊估,全年业绩年增率目标35%,第4季虽有厂区岁修但产品组合优化、毛利率仍有机会达到双位数约15-18%,公司对明年业绩成长20%起跳抱持审慎乐观。
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